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HL: Halbleiterphysik

HL 13: II-VI Halbleiter I

HL 13.8: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 17:15–17:30, S6

Elektronische Struktur des CdSe/ZnTe/InAs(100) Heterointerfaces — •Th. Gleim¹, L. Weinhardt¹, Th. Schmidt¹, B. Richter², C. Heske¹, E. Umbach¹, P. Grabs³, G. Schmidt³, L.W. Molenkamp³ und H.-P. Steinrück⁴ — ¹Exp. Physik II — ²Chem. Physik, Fritz-Haber-Institut Berlin — ³Exp. Physik III, Univ. Würzburg — ⁴Physik. Chemie II, Univ. Erlangen-Nürnberg

Bei Halbleiterheterostrukturen zur Injektion von spinpolarisierten Elektronen ist neben einer hohen Kristallqualität ein günstiger Bandoffset nötig, um zu gewährleisten, daß eine spininduzierte Widerstandsänderung nicht durch einen hohen Grenzflächenwiderstand überdeckt wird. Als Vorstufe für das dafür besonders interessante System CdMnSe/InAs wurden CdSe/InAs(100)-Heterostrukturen untersucht, die zur Erhöhung der Wachstumsqualität mit einer dünnen Zwischenlage ZnTe versehen wurden. Zur Untersuchung der elektronischen Struktur und des Aufbaus der Grenzschicht haben wir mittels durchstimmbarer Synchrotronstrahlung (BESSY II, U49/1-PGM) und Labor-UV-Quellen Photoemissionsuntersuchungen bei verschiedenen Photonenenergien durchgeführt. Da das Valenzband in Abhängigkeit von der Anregungsenergie dispergiert, wurde bei der Ermittlung des Valenzbandoffsets (VBO) Wert auf eine korrekte Bestimmung am Γ-Punkt gelegt. Analog wurde der Leitungsbandoffset mit Hilfe von Inverser Photoemission analysiert. Die experimentell bestimmten Offsets werden hinsichtlich ihrer Eignung zur Loch- bzw. Elektroneninjektion diskutiert. (Gefördert durch die DFG (SFB 410) sowie das BMBF, Projekt 05SE8WE10)