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HL: Halbleiterphysik

HL 13: II-VI Halbleiter I

HL 13.9: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 17:30–17:45, S6

Diffusion von Ag in CdTe — •H. Wolf¹, V. Ostheimer¹, S. Lany¹, J. Hamann¹, Th. Wichert¹, N. Stolwijk² und A. Rodriguez² — ¹Technische Physik, Universität des Saarlandes, D-66041 Saarbrücken — ²Institut für Materialforschung, Universität Münster, D-48149 Münster

Über die Wasserstoff-Passivierung elektrisch aktiver Störstellen in II-VI Halbleitern ist bis heute wenig bekannt. Das Isotop ¹¹¹Ag stellt als Akzeptor eine geeignete PAC Sonde zur Untersuchung dieses Phänomens dar. Allerdings sind die bisherigen Untersuchungen aufgrund des unerwarteten Diffusionsverhalten von Ag in CdTe fehlgeschlagen. Zur näheren Untersuchung der Diffusion von Ag wurden CdTe Kristalle mit radioaktivem ¹¹¹Ag (80 keV) implantiert. Nach Tempern bei 550 K (30 min) diffundiert das ursprünglich in 30 nm Tiefe liegende Implantationsprofil in eine Tiefe von 150 µm und erreicht dabei eine Breite von etwa 50 µm. Dabei wird bis zu einer Tiefe von etwa 80 µm nur noch ein sehr geringer Anteil der implantierten ¹¹¹Ag Atome detektiert, obwohl während des Temperns praktisch kein ¹¹¹Ag ausdiffundiert ist. Wird vor dem Tempern Cu auf die Probenoberfläche gedampft (ca. 30 nm), diffundieren die Ag Atome bei 550 K (30 min) vollständig zur Rückseite der Probe (Dicke: 500 µm), obwohl die Diffusionslänge für Cu unter diesen Bedingungen nur etwa 10 µm beträgt. Weiterführende Untersuchungen zeigen, dass Position und Form des resultierenden Diffusionsprofils sehr empfindlich von den jeweiligen experimentellen Bedingungen abhängen.

Gefördert durch die DFG, Projekt Nr. Wi715/-1