Hamburg 2001 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 15: Quanten-Hall-Effekt

HL 15.11: Talk

Tuesday, March 27, 2001, 13:00–13:15, S16

Tunneln zwischen Randkanälen in senkrecht aufeinander stehenden zweidimensionalen Elektronensystemen — •M. Huber¹, M. Rother¹, M. Grayson¹, R. A. Deutschmann¹, M. Bichler¹, W. Biberacher² und G. Abstreiter¹ — ¹Walter Schottky Institut, Am Coulombwall, 85748 Garching — ²Walther-Meissner-Institut, Walther-Meissner-Str. 8, 85748 Garching

Mit der Methode des Überwachsens von Spaltflächen (cleaved edge overgrowth) stellten wir zwei in AlGaAs eingebettete T-förmig senkrecht aufeinander stehende GaAs-Quantentöpfe her, die durch eine 50A dik-kcke AlGaAs-Tunnelbarriere voneinander getrennt sind. Durch ein Magnetfeld lassen sich beide durch Modulationsdotierung erzeugten zweidimensionalen Elektronensysteme (2DEGs) gleichzeitig in einen Quantenhallzustand versetzen. Durch die besondere Probengeometrie treffen die im Quantenhall-Effekt auftretenden chiralen Randzustände nahe der T-Kreuzung zusammen. Durch Veränderung des Betrags und Winkels des Magnetfeldes zur Probe konnten wir Tunnelströme in solchen Randkanäle in einer kontinuierlichen Kombination an Füllfaktoren messen. Für Spannungen bis einige 10mV sind deutliche Resonanzen durch die Landau-Niveaus zu erkennen. Die Magnetfeld-Abhängigkeit spiegelt den Landau-Fächer wider. Bei winkelabhängigen Messungen zeigen sich allerdings grundsätzliche Abweichungen von diesem Bild. Für Bias-Spannungen von einigen 100mV, d.h. deutlich oberhalb des Landau-Fächers, ist ein negativ differenzieller Widerstand zu beobachten.