Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 15: Quanten-Hall-Effekt

HL 15.13: Talk

Tuesday, March 27, 2001, 13:30–13:45, S16

Anisotroper Magnetotransport in hochmobilen ultrakalten Quantenhallsystemen - Einfluß einer Fehlorientierung des Substrats — •O. Jaeger¹, F. Ertl¹, E. Schuberth², C. Probst², R.A. Deutschmann¹, M. Bichler¹ und G. Abstreiter¹ — ¹Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall, D-85748 Garching — ²Walther Meissner Institut, Bayerische Akademie der Wissenschaften, Walther-Meissner-Straße 8, D-85748 Garching

Bei hochmobilen Proben und tiefsten Temperaturen existiert ein neuartiger anisotroper Zustand für halbzahlige Füllfaktoren des Quantenhallsystems [1]. Die Anisotropie im Magnetowiderstand bezüglich der [011]- zur [011]-Richtung des Kristalls ist am deutlichsten ausgeprägt. Als Erklärung wird eine Streifenphase vorgeschlagen, die sich an Stufen auf der Oberfläche der überwachsenen Wafer ausrichten soll. Aus diesem Grund studieren wir zweidimensionale Elektronensysteme, die auf Wafern mit definierter Vorzugsrichtung der Stufen gewachsen wurden. Für die Untersuchung standen normale und mit 1^∘/1.5^∘/2^∘ in Richtung der (111)/(110)-Fläche fehlorientierte Substrate zur Verfügung. AFM-Aufnahmen bestätigen die laut Spezifikation angegebene Vorzugsrichtung und den Abstand der Stufen. Van der Pauw-Proben zeigen maximale Mobilitäten von 11.5 × 10⁶ cm²/Vs bei einer Dichte von 2.1 × 10¹¹ cm⁻² sowie Temperatur von 1.4 K. Wir stellen Messungen zum Magnetotransport bei Badtemperaturen herab bis 1 mK vor, die in einem Kryostat mit Entmischungskühler und Kernentmagnetisierung erzielt wurden.

[1] M.P. Lilly, K.B. Copper, J.P. Eisenstein, L.N. Pfeiffer, K.W. West, Phys. Rev. Lett. 82, 394 (1999)