Hamburg 2001 – scientific programme
Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
HL: Halbleiterphysik
HL 15: Quanten-Hall-Effekt
HL 15.3: Talk
Tuesday, March 27, 2001, 11:00–11:15, S16
Lokalisierungseffekte in Be-δ-dotierten GaAs/GaAlAs-Heterostrukturen — •Katrin Buth1, Michael Widmann1, Ulrich Merkt1 und Karl Eberl2 — 1Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, 20355 Hamburg — 2Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstraße 1, 70569 Stuttgart
Mit modulationsdotierten GaAs/GaAlAs-Heterostrukturen, die eine δ-Dotierschicht negativ geladener Berylliumionen enthalten, untersuchen wir das Zusammenspiel von Unordnung und Elektron-Elektron-Wechselwirkung in quasi zweidimensionalen Elektronensystemen. In hohen Magnetfeldern sind die Elektronen in sogenannten ’quantum Hall droplets’ lokalisiert. Für Füllfaktoren ν < 1 beobachten wir daher den Übergang vom integralen Quanten-Hall-Effekt zum Hall-Isolator. In diesem Bereich ist die Zyklotronresonanz ωc = eB/m* zu höheren Frequenzen verschoben und die Linienbreite ist extrem schmal. Dies läßt sich durch die Verknüpfung von Lokalisierung und Elektron-Elektron-Wechselwirkung erklären. Die negativ geladenen Berylliumionen führen außerdem zu einer Verschiebung der Zentren der Hall-Plateaus zu höheren Magnetfeldern, d.h. zu kleineren Füllfaktoren. In kleinen Magnetfeldern beobachten wir eine magnetfeldinduzierte Delokalisierung, die besonders bei kleinen Elektronendichten stark ausgeprägt ist.