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HL: Halbleiterphysik

HL 16: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigenschaften I

HL 16.12: Vortrag

Dienstag, 27. März 2001, 13:15–13:30, S2

Kombinierte orts- und zeitaufgelöste Photolumineszenzmessungen mit SNOM und Streakkamera an CdSe/ZnSe Quanteninseln — •R. Dianoux, B. Dal Don, G. von Freymann, U. Neuberth, E. Kurtz, C. Klingshirn, M. Wegener und H. Kalt — Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe , D-76128 Karlsruhe

Ein kombinierter Aufbau von SNOM und Streakkamera wird verwendet, um die Dynamik von Exzitonen in Halbleiternanostrukturen zu studieren. Im internen Photolumineszenz Modus wird eine hohe Ortsauflösung von ca. 200 nm und eine Zeitauflösung von wenigen ps erreicht. Angeregt wird mit einem frequenzverdoppelten 100 fs Ti-Sa Lasersystem. Es werden sowohl die Intensitäts- als auch die Temperaturabhängigkeit der Spektren von CdSe Quanteninseln an verschiedenen Positionen untersucht. Sowohl unter Variation der Intensität (6 nW bis 50 nW, mittlere Leistung) als auch unter Variation der Temperatur (10 K bis 100 K), bleiben zwei Gruppen von Linien in den Spektren identifizierbar, die ein deutlich unterschiedliches Zeitverhalten zeigen. Die niederenergetische Liniengruppe zeigt nach einem Plateau einen langsamen, monoexponentiellen Abfall von etwa 200 ps. Die hochenergetische zeigt einen wesentlich schnelleren, nicht-monoexponentiellen Abfall. Als mögliche Ursachen für die verschiedenen Liniengruppen werden die Beobachtung unterschiedlicher Inseltypen (Typ A,Typ B) bzw. die Relaxation angeregter Zustände in einem Inseltyp diskutiert.