Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 16: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigenschaften I

HL 16.14: Talk

Tuesday, March 27, 2001, 13:45–14:00, S2

Hochleistungs-Quantenpunktlaser mit verbesserten Temperatureigenschaften — •Frank Klopf¹, Johann Peter Reithmaier¹, Alfred Forchel¹, Philippe Collot² und Michel Krakowski² — ¹Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Deutschland — ²Groupe Composants Optroniques, Laboratoire Central de Recherches, Thomson-CSF,Domaine de Corbeville, F-91404 Orsay Cedex, France

Die physikalischen Eigenschaften von Quantenpunktschichten, wie zum Beispiel die geringe laterale Ladungsträgerdiffusion, machen diese für den Einsatz in Hochleistungs-Laserdioden interessant. Ausgehend von einer Laserstruktur mit verbreitertem Wellenleiter (LOC) wurden Laserdioden mit einer einzelnen GaInAs/GaAs Quantenpunktschicht hergestellt. Diese zeigen im Dauerstrichbetrieb (cw) Ausgangsleistungen von bis zu 4 W. Die Wellenlänge von 980 nm entspricht hierbei dem Grundzustandsübergang der Quantenpunkte. Die hohe interne Quanteneffizienz und die relativ geringe interne Absorption erlauben Konversionsgrade von mehr als 50%. Durch die Verwendung von kurzperiodischen AlGaAs/GaAs Übergittern im Wellenleiter ist es möglich, das effektive Einschlußpotential der Elektronen zu erhöhen. Dies ermöglicht hohe Quanteneffizienzen und niedrige Schwellenstromdichten über einen weiten Temperaturbereich. Selbst bei Betriebstemperaturen von 110 ^∘C konnten so Ausgangsleistungen von 1 W realisiert werden.