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HL: Halbleiterphysik

HL 17: Photovoltaik I

HL 17.10: Vortrag

Dienstag, 27. März 2001, 12:45–13:00, S17

Photolumineszenz von polykristallinem CuInGaSe₂ mit mikrometer Ortsauflösung — •K. Bothe, T. Unold und G.H. Bauer — FB Physik, Carl von Ossietzky Universität Oldenburg

Tieftemperatur-Photolumineszenz-Analysen und Reflexionsmessungen mit Submikrometer-Auflösung wurden mit einem Konfokal-Raster-Laser-Mikroskop zur Charakterisierung von CuInGaSe₂-Schichten, die als Absorbermaterial in Solarzellen Verwendung finden, durchgeführt. Sowohl das Lumineszenz-, als auch das Reflexionssignal zeigen Strukturen auf Mikrometerskala. Der Vergleich mit AFM-Aufnahmen zeigt, dass das Reflexionssignal durch die Oberflächenstruktur dominiert wird. Die Photolumineszenz hingegen läßt sich nicht direkt mit der Morphologie korrelieren. Mit Hilfe von 2-dimensionaler Simulation wird die örtliche Verteilung der Minoritätsladungsträger bei punktförmiger Anregung in einzelnen Körnern berechnet, um den Einfluß der Korngrenzen auf Überschußkonzentration und Photolumineszenzausbeute zu untersuchen.