Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 17: Photovoltaik I

HL 17.11: Talk

Tuesday, March 27, 2001, 13:00–13:15, S17

Fertigungsnahe Herstellung und Charakterisierung selektiver Emitter für Silizium Solarzellen — •Oliver Schultz, Daniel Biro und Ralf Lüdemann — Fraunhofer Institut Solare Energiesysteme, Oltmannsstrasse 5, 79100 Freiburg

Das Konzept des selektiven Emitters erlaubt die entkoppelte Lösung der

Aufgabe, unter den Kontakten eine hohe und zwischen den Kontakten eine niedrige Dotierung zu erreichen. Dies sichert einerseits einen niedrigen Kontaktwiderstand des Metall-Halbleiter-Überganges und andererseits eine gute spektrale Empfindlichkeit der Solarzelle für kurzwelliges Licht. Um eine fertigungsnahe Möglichkeit der Erzeugung solcher Emitter zu untersuchen, wurden mittels Siebdruck Phosphordotierstoffe unterschiedlicher Konzentrationen selektiv und homogen auf bordotierte Siliziumscheiben aufgetragen. Die Diffusion erfolgte in einem Durchlaufdiffusionsofen. Die erzeugten Strukturen wurden mittels ortsaufgelösten Schichtwiderstandsmessungen sowie Sekundärionenmassenspektroskopie untersucht. Weiter wurden ortsaufgelöste Lebensdauermessungen angefertigt, um die Passivierbarkeit der niedrigdotierten Bereiche durch Siliziumnitrid nachzuweisen. Aus den Strukturen wurden auch Solarzellen prozessiert. Deren Charakteristika, wie Spektrale Empfindlichkeit, Hell- und Dunkelkennlinie, ermöglichen es, industrienah gefertigte Solarzellen mit homogenen und selektiven Emittern zu vergleichen.