Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 17: Photovoltaik I
HL 17.5: Vortrag
Dienstag, 27. März 2001, 11:30–11:45, S17
Schwefeloxidbildung an den relevanten Grenzflächen in
Cu(In,Ga)(S,Se)2–Solarzellen — •U. Groh1, C. Heske1, E. Umbach1, S. Zweigart2 und F. Karg3 — 1Experimentelle Physik II, Universität Würzburg — 2Siemens AG, München — 3Siemens Solar GmbH, München
Die chemische (und damit elektronische) Struktur der Grenzflächen von Cu(In,Ga)(S,Se)2–Solarzellen (CIGSSe) ist für das Verständnis ihrer elektrischen Eigenschaften von großer Bedeutung. Besonders wichtig sind dabei die Grenzflächen zwischen dem CIGSSe–Absorber, der CdS–Pufferschicht sowie der ZnO– Fensterschicht. Wir berichten über Röntgenemissionsspektroskopie–Experimente zur Untersuchung des Einflusses von Feuchtigkeitsbehandlung („damp heat“) auf die Grenzschichten. Dazu wurden Probenserien der verschiedenen Grenzflächenkombinationen (z.B. CdS/CIGSSe, ZnO/CdS/CIGSSe oder ZnO/CIGSSe) mit und ohne „damp heat“ Behandlung untersucht. Es zeigt sich, daß durch die „damp heat“ Behandlungen Schwefeloxidbindungen an der ZnO/CdS-Grenzfläche ausgebildet werden, während die anderen Grenzflächen und Schichten hinsichtlich der Schwefeloxidation inert sind. Die Ergebnisse werden in Hinblick auf die elektrischen Eigenschaften der CIGS–Solarzelle diskutiert.