Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 17: Photovoltaik I

HL 17.7: Talk

Tuesday, March 27, 2001, 12:00–12:15, S17

Elektronische Eigenschaften naßchemisch geätzter CdTe-Schichten: Einfluß von Te auf den Rückkontakt — •Daniel Kraft¹, Ralf Wendt², Andreas Thißen¹, Thomas Mayer¹, Andreas Klein¹ und Wolfram Jaegermann¹ — ¹TU Darmstadt, Fachbereich Materialwissenschaft-Oberflächenforschung, Petersenstr.23, 64287 Darmstadt — ²ANTEC GmbH, Industriestr. 2-4, 65779 Kelkheim

Die Verbesserung des elektrischen Rückkontaktes ist eines der Hauptprobleme in der CdTe-Dünnschicht-Solarzellenforschung. Naßchemisches Ätzen der CdTe-Schicht vor dem Aufbringen des metallischen Rückkontaktes ist ein weit verbreitetes Verfahren. Es entsteht ein Te/CdTe-Kontakt, der zu einer Position des Ferminiveaus knapp oberhalb des Valenzbandmaximums führen soll, so daß sich ein niedriger Übergangswiderstand einstellt. Mittels der Photoelektronenspektroskopie wurden die elektronischen Eigenschaften chemisch geätzter CdTe-Oberflächen untersucht und mit denen aufgedampfter Te-Schichten auf CdTe verglichen. Das Ätzen der Proben wurde sowohl an Luft (ex-situ) als auch in einer direkt am UHV-System montierten Elektrochemiekammer (in-situ) durchgeführt. Durch unsere Untersuchungen der geätzten Proben konnte die Entstehung eines Te/CdTe-Kontaktes nachgewiesen werden, jedoch wurde im Gegensatz zu anderen Untersuchungen kein deutlich p-dotiertes CdTe an der Oberfläche gefunden, unabhängig von ihrer Präparation. Somit entsteht, zusammen mit dem n-Te, ein Te/CdTe-Kontakt, der durch eine deutliche Energiebarriere gekennzeichnet ist.