Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 17: Photovoltaik I

HL 17.9: Talk

Tuesday, March 27, 2001, 12:30–12:45, S17

n-Seiten beleuchtete mikrokristalline Silizium Solarzellen — •Andreas Groß^1,2, Oliver Vetterl¹, Andreas Lambertz¹, Arup Dasgupta³, Friedhelm Finger¹ und Heribert Wagner¹ — ¹Forschungszentrum Jülich, Institut für Photovoltaik, 52425 Jülich — ²Rheinische Friedrich-Wilhelms-Universität Bonn — ³Energy Research Unit, Indian Association for the Cultivation of Science, Jadavpur, Calcutta-700 032, India

Mikrokristalline Silizium Dünnschichtsolarzellen wurden mittels PECVD hergestellt und durch die n-dotierte Schicht beleuchtet. Das Verhalten dieser durch die n-Seite beleuchteten mikrokristallinen Silizium Solarzellen wurde untersucht und mit dem Verhalten von „klassischen“ p-Seiten beleuchteten Solarzellen aus mikrokristallinem Silizium verglichen. Hierzu wurde die Dicke der intrinsischen Absorberschicht variiert wobei ein gleiches Verhalten für n- und p-Seiten beleuchtete Solarzellen gefunden wurde. Im Unterschied zu Solarzellen aus amorphen Silizium, die von der p-Seite her beleuchtet werden müssen, können Solarzellen aus mikrokristallinem Silizium von beiden Seiten her beleuchtet werden und dabei die selben hohen Wirkungsgrade von bis zu 7,7 % erzielen. Eine Asymmetrie der Ladungsträgersammlung wie sie in amorphem Silizium auftritt (hohe Sammlungseffizienz am p/i Übergang, niedrige Sammlungseffizienz am n/i Übergang) konnte bei mikrokristallinen Silizium nicht beobachtet werden.