Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 20: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung
HL 20.10: Vortrag
Dienstag, 27. März 2001, 17:45–18:00, S16
Inselkettenbildung beim heteroepitaktischen Wachstum von SiGe/Si — •M. Meixner1, S. Bose1, E. Schöll1, M. Schmidbauer2 und R. Köhler2 — 1Institut für Theoretische Physik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin, Germany — 2Institut für Physik, Humbold-Universität zu Berlin, D-10117 Berlin, Germany
Bei der Abscheidung von SiGe auf Si im Submonolagenbereich beobachtet man bei Flüssigphasenepitaxie die Entstehung von Nanoinseln, die sich entlang der elastisch weichen [100]-Richtung aneinanderreihen.
Diese Inselketten lassen sich im Rahmen einer kinetischen Monte-Carlo Simulation als Selbstorganisationsprozess erklären. Dabei nehmen wir eine Anisotropie des Verspannungsfeldes an, die durch die elastischen Konstanten des binären SiGe-Systems bestimmt ist.
Die besondere Morphologie des Verspannungsfeldes führt zu einer höheren Nukleationswahrscheinlichkeit in [100]-Richtung und liefert in der Simulation Reihen von Inseln, die in guter Übereinstimmung mit den experimentellen Befunden stehen.