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HL: Halbleiterphysik

HL 20: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung

HL 20.12: Vortrag

Dienstag, 27. März 2001, 18:15–18:30, S16

Verspannunginduzierte Durchmischung von gestapelten InAs/GaAs Quantenpunkten — •Henry Heidemeyer, Heiko Schuler, Oliver G. Schmidt und Karl Eberl — MPI für Festkörperforschung, Heisenbergstraße 1, D-70569 Stuttgart

Photolumineszenzuntersuchungen (PL) an 2-fach gestapelten InAs/GaAs-Quantenpunkten (QP) zeigen ein unterschiedliches Verhalten für QP, die mit verschiedenen Wachstumsraten abgeschieden wurden. Kleine QP mit einem Basisdurchmessser von ca. 20nm, die als Einzelschicht bei 1,14µm emittieren, zeigen eine Rotverschiebung durch elektronisches Koppeln, wenn der Abstand beider identisch abgeschiedenen Schichten 2nm beträgt. Eine systematische Untersuchung dieses Effekts bei langsam gewachsenen, großen QP mit einem Basisdurchmesser ca. 25nm und einer Emission bei 1,3µm zeigt jedoch eine Blauverschiebung mit kleiner werdenden Barriere. Die erwartete Rotverschiebung konnte nicht beobachtet werden. Als Ursache wird eine verspannnungsinduzierte Durchmischung der Dots während des Wachstums angenommen. Für 2-fach gestapelte InAs/GaAs QP mit 5nm Abstand reduziert sich die PL-Linienbreite auf nur 16meV.