Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 20: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung

HL 20.13: Talk

Tuesday, March 27, 2001, 18:30–18:45, S16

Untersuchung von Makrostufen auf vizinalen GaAs(100) Oberflächen in der MOVPE — •S. Weeke, F. Poser, M. Pristovsek, J.-T. Zettler und W. Richter — TU Berlin, Institut für Festkörperphysik, Sekr. PN 6-1, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Auf vizinalen GaAs (100) Substraten bilden sich beim Wachstum in der MOVPE bei hohen V/III Verhältnissen Makrostufen. Durch die statistische Verteilung von Gallium-Monomeren an der Oberfläche entstehen Stufen unterschiedlicher Größe. In der Folge lagern sich die Gallium-Monomere bevorzugt an den größeren Stufen an, wodurch diese schneller wachsen als kleine. Die letztendlich erreichte Stufenweite wird durch die Diffusionslänge der Gallium-Monomere an der Oberfläche limitiert. Wir untersuchten diesen Effekt in Abhängigkeit von Substratverkippung und Wachtumstemperatur. Dazu wurden Proben auf 2^∘/4^∘ A und B verkipptem GaAs (100) Substrat bei Temperaturen von 560 ^∘C bis 670 ^∘C gewachsen und die Stufenbildung ex-situ mittels AFM charakterisiert. Stufenweiten von bis zu 400 nm wurden errreicht. Weiter wurde der Einfluß von Indium auf die Makrostufen und die Anlagerung von InAs Quantenpunkten bis hin zu Quantendrähten untersucht.

Diese Arbeit wurde durch die DFG (Sonderforschungsbereich 296) gefördert.