Hamburg 2001 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 20: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung
HL 20.1: Talk
Tuesday, March 27, 2001, 15:30–15:45, S16
Vertikale Korrelation in gestapelten CdSe Quanteninseln — •E. Kurtz1, M. Schmidt1, B. Dal Don1, R. Dianoux1, S. Wachter1, D. Litvinov2, D. Gerthsen2, H. Kalt1 und C. Klingshirn1 — 1Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe,D–76128 Karlsruhe — 2Labor für Elektronenmikroskopie, Universität Karlsruhe,D–76128 Karlsruhe
Mit Hilfe von CdS-assistierter Migration Enhanced Epitaxy wurden qualitativ hochwertige CdSe/ZnSe basierte Quanteninselstrukturen hergestellt. Schichtet man mehrere solcher Lagen mit einer geeigneten ZnSe-Barrierendicke übereinander, so bilden sich vertikale Stapel von Inseln aus, wie TEM zeigt. Die Inseln innerhalb des Stapels können dabei Cd Konzentrationen von über 80% aufweisen. Stapelung ist im Fall der III-V Halbleiter InAs/GaAs schon etabliert. Im Allgemeinen beobachtet man bei CdSe/ZnSe, aufgrund von Segregation und Interdiffusion, eine starke Tendenz zur Durchmischung des CdSe mit dem Barrierenmaterial, was die Herstellung qualitativ hochwertiger Inselschichten erschwert. Durch das voliegende Verspannungspotential im Fall der Stapelung kann diese Tendenz jedoch deutlich abnehmen, es entstehen besser definierte Inseln als in Einzellagen. Deutliche Anzeichen einer vertikalen Kopplung finden sich in der Photolumineszenz (PL). So werden zwei Linien beobachtet, die dem Wettinglayer-artigen Quantentrog mit Fluktuationen durch unkorrelierte kleinere Inseln bzw. den vertikal korrelierten Inselstapeln zugerechnet werden können. Diese besonderen Eigenschaften wurden mit Hilfe von temperatur- und zeitabhängiger PL untersucht und sollen diskutiert werden.