Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 20: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung

HL 20.3: Talk

Tuesday, March 27, 2001, 16:00–16:15, S16

InAs-Quantenpunkte auf ionenstrahldotiertem GaAs — •P. Schafmeister¹, D. Reuter¹, K. H. Schmidt², U. Kunze² und A. D. Wieck¹ — ¹Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr Universität Bochum, Universitätsstr. 150, 44780 Bochum — ²Lehrstuhl für Werkstoffe der Elektrotechnik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstr. 150, 44780 Bochum

Mit Anlagen zur fokussierten Ionenstrahlimplantation (FIB-Focused Ion Beam) lassen sich Halbleiter lateral aufgelöst dotieren. Mit Hilfe dieser Technologie sollen lateral strukturierte p- bzw. n-Rückkontakte mit Abmessungen kleiner 100nm erzeugt werden, so daß Elektrolumineszenz-, Kapazitäts- und vertikale Tunneltransportmessungen an wenigen Quantenpunkten möglich sind. Um dies zu erreichen, ist folgender Prozeßablauf zu etablieren: In einem ersten MBE-Schritt wird die zu dotierende Schicht aufgewachsen. Anschließend gelangt die Probe unter Ultrahochvakuum (UHV) in die FIB-Anlage, um sie lateral aufgelöst p- bzw. n-Typ zu dotieren. Nach dem Rücktransfer in die MBE-Anlage wird der zweite Teil der Heterostruktur mit InAs-Quantenpunkten gewachsen. Unsere Experimente haben gezeigt, daß die Verwendung einer passivierenden As₂-Schutzschicht während der Wachstumspause erforderlich ist. Dann allerdings lassen sich auf Be-implantierten Flächen optisch aktive Quantenpunkte hoher Qualität erzeugen. Die p-Typ implantierten Bereiche sind auch bei tiefen Temperaturen gut leitfähig, d.h. sie können als Rückkontakt eingesetzt werden. Auch für Si wurden erste vielversprechende Ergebnisse erzielt.