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HL: Halbleiterphysik

HL 20: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung

HL 20.4: Vortrag

Dienstag, 27. März 2001, 16:15–16:30, S16

Verspannungsrelaxation von InAs-Quantenpunkten in der Rastertunnelmikroskopie an Querschnittsflächen — •H. Eisele, M. Ternes, C. Hennig und M. Dähne — Institut für Festkörperphysik, TU Berlin

Wie wir gezeigt haben, ist die Verspannungsrelaxation ein wichtiger Kontrastmechanismus bei der Abbildung von niederdimensionalen Halbleiternanostrukturen mit Querschnittsrastertunnelmikroskopie (XSTM) [1]. Bei hohen Tunnelspannungen wird vor allem die räumliche Struktur im STM abgebildet, die Falle von InAs/GaAs- Quantenpunkten im wesentlichen durch die Relaxation der verspannten Quantenpunkte nach der Spaltung bestimmt ist.

Diese Verspannungsrelaxation haben wir für mehrere verschiedene InAs-Quantenpunkte mit FDM auf atomarer Skala simuliert. Hiermit können wir die Relaxation in Abhängigkeit von Größe, Form, Stöchiometrie und Spaltebene angeben [2]. Weiterhin demonstrieren wir, daß das Ausmaß der Verspannungsrelaxation bei XSTM-Experimenten mit verminderter Dimension der Struktur zunimmt. Die Relaxation aus der Spaltfläche ist bei Quantendrähten und insbesondere Quantenpunkten um etwa eine Größenordnung größer als bei Quantentöpfen vergleichbarer Materialmenge. Somit sind InAs- Quantenpunkte auch ein hervorragendes Modellsystem, um die Theorie der Abbildungsmechanismen in XSTM-Experimenten zu erweitern.

[1] H. Eisele et.al., Surf. Interface Anal. 27, 537 (1999).

[2] H. Eisele et.al., phys. stat. sol. (b) 215, 865 (1999).