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HL: Halbleiterphysik

HL 20: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung

HL 20.6: Vortrag

Dienstag, 27. März 2001, 16:45–17:00, S16

Wachstumskorrelierte Eigenschaften von GaSb/GaAs Quantenpunkten — •L. Müller-Kirsch¹, R. Heitz¹, U.W. Pohl¹, D. Bimberg¹, I. Häusler², H. Kirmse² und W. Neumann² — ¹Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — ²AG Kristallographie, Institut für Physik, Humboldt Universität zu Berlin, Invalidenstr.110, 10115 Berlin

Wachstumskorrelierte Eigenschaften von MOCVD gewachsenen GaSb/GaAs Quantenpunkten (QP) wurden mittels struktureller und optischer Methoden untersucht. Die Typ II Bandstruktur der GaSb-QP führt zu hohen Lokalisierungsenergien für Löcher und räumlich indirekten exzitonischen Übergängen, die verantwortlich für komplexe optische Eigenschaften der QP sind. Transmissionselektronenmikroskopische Aufnahmen zeigen QP einer Dichte von 2·10¹⁰ cm⁻² mit einer mittleren lateralen Ausdehnung der Inseln von 22 nm. Die Höhe der QP wurde durch AFM-Untersuchungen an ungedeckten Vergleichsproben zu 3 nm bestimmt. Photolumineszenzmessungen zeigen die Typ II QP-Lumineszenz bei 1.1 eV mit einer Halbwertsbreite von 100 meV. Der energetische Abstand zur Lumineszenz der Benetzungsschicht weist auf eine Lokalisierungsenergie für Löcher von 400 meV hin.