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HL: Halbleiterphysik
HL 20: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung
HL 20.6: Talk
Tuesday, March 27, 2001, 16:45–17:00, S16
Wachstumskorrelierte Eigenschaften von GaSb/GaAs Quantenpunkten — •L. Müller-Kirsch1, R. Heitz1, U.W. Pohl1, D. Bimberg1, I. Häusler2, H. Kirmse2 und W. Neumann2 — 1Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — 2AG Kristallographie, Institut für Physik, Humboldt Universität zu Berlin, Invalidenstr.110, 10115 Berlin
Wachstumskorrelierte Eigenschaften von MOCVD gewachsenen GaSb/GaAs Quantenpunkten (QP) wurden mittels struktureller und optischer Methoden untersucht. Die Typ II Bandstruktur der GaSb-QP führt zu hohen Lokalisierungsenergien für Löcher und räumlich indirekten exzitonischen Übergängen, die verantwortlich für komplexe optische Eigenschaften der QP sind. Transmissionselektronenmikroskopische Aufnahmen zeigen QP einer Dichte von 2·1010 cm−2 mit einer mittleren lateralen Ausdehnung der Inseln von 22 nm. Die Höhe der QP wurde durch AFM-Untersuchungen an ungedeckten Vergleichsproben zu 3 nm bestimmt. Photolumineszenzmessungen zeigen die Typ II QP-Lumineszenz bei 1.1 eV mit einer Halbwertsbreite von 100 meV. Der energetische Abstand zur Lumineszenz der Benetzungsschicht weist auf eine Lokalisierungsenergie für Löcher von 400 meV hin.