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HL: Halbleiterphysik

HL 20: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung

HL 20.9: Vortrag

Dienstag, 27. März 2001, 17:30–17:45, S16

In-situ Strukturierung durch Molekularstrahlepitaxie in Schattenmasken — •T. Schallenberg, T. Schallenberg, C. Schumacher, W. Faschinger, C. Schumache r und W. Faschinger — Universität Würzburg, EP III, Am Hubland, 97074 Würzburg

Wir diskutieren die Einsatzmöglichkeiten von MBE-Wachstum durch Schattenmasken in der Halbleiter-Technologie anhand einiger Beispiele. Die Herstellung von ohmschen Kontakten auf Halbleitern mit grosser Bandlücke erfordert in vielen Fällen spezielle Kontaktstrukturen sowie deren in-situ Präparation. Gute Kontakte auf überwachsenen Schichten können deshalb mit der Standardtechnologie nicht realisiert werden. Das geometrisch definierte MBE-Wachstum in Schattenmasken erlaubt eine laterale in-situ Strukturierung von Halbleiterschichten. Durch sekundäre Schatteneffekte an deren steilen Seitenflanken ist es möglich, in-situ zwei verschiedene Kontaktstrukturen im jeweils gewünschten Bereich zu plazieren. Das Wachstum über sekundäre Schattenkanten erlaubt zudem die Herstellung von homogenen Nanodrähten. In Linienrichtung sind diese ZnSe-Strukturen vollständig verspannt, während XRD-Messungen senkrecht dazu elastische Relaxation zeigen. Für unsere Untersuchungen wurden III-V Materialien und erstmals ZnSe-basierte ternäre und quaternäre Halbleiter in AlGaAs/GaAs-Schattenmasken abgeschieden.