Hamburg 2001 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 22: SiC
HL 22.1: Talk
Tuesday, March 27, 2001, 15:30–15:45, S17
Formation und Aggregation von Antisite–Paaren in hexagonalem SiC — •E. Rauls1, Z. Hajnal2, P. Deák3 und T. Frauenheim1 — 1Universität Paderborn, Fachbereich Physik, Theoretische Physik, Pohlweg 55, 33095 Paderborn — 2MTA Research Institute for Technical Physics and Materials Science, P.O.B. 49, H-1525 Budapest, Hungary — 3Dept. of Atomic Physics, TU Budapest, Budafoki út 8, H-1111 Budapest, Hungary
Als intrinsische Defekte mit sehr niedrigen Formationsenergien spielen
Antisites in SiC
eine wichtige Rolle. Das Antisitepaar SiC-CSi hat
darüber hinaus eine
hohe Bindungsenergie, was seine Existenz sehr wahrscheinlich macht.
Jedoch gibt es bislang kaum Untersuchungen über seinen
Entstehungsprozess.
Um einen Beitrag in dieser Richtung zu leisten haben wir verschiedene
Möglichkeiten zu
seiner Entstehung im 4H–SiC Bulk untersucht und die entsprechenden
Formationsenergien
und Diffusionsbarrieren berechnet.
Dabei zeigt sich, daß die im idealen Bulk auftretenden Energiebarrieren
weit zu hoch
sind als daß sie die Antisite-Paar-Bildung unter üblichen
experimentellen
Bedingungen erklären könnten.
Eine Möglichkeit zur Klärung dieser Frage wird durch das Vorhandensein
anderer
intrinsischer Defekte, insbesondere Vakanzen und Vakanz-Antisite-Komplexe,
gegeben.
Desweiteren stellen wir erste Ergebnisse zur Untersuchung der Aggregation
von
Antisitepaaren vor.