DPG Phi
Verhandlungen
Verhandlungen
DPG

Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 22: SiC

HL 22.5: Vortrag

Dienstag, 27. März 2001, 16:30–16:45, S17

DLTS- und Positronenannihilations-Untersuchungen an mit 2 MeV-Elektronen bestrahltem 4H/6H-SiC — •Michael Weidner1, Thomas Frank1, Gerhard Pensl1, Atsuo Kawasuso*2, Hisayoshi Itoh2, Frank Redmann3 und Reinhard Krause-Rehberg31Lehrstuhl für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg — 2Japan Atomic Energy Research Institute, Takasaki, Japan — 3Fachbereich Physik, Universität Halle-Wittenberg

Durch Bestrahlung mit hochenergetischen Elektronen (2 MeV) wurden bei Raumtemperatur Eigendefekte in n-Typ 4H-SiC und 6H-SiC Epitaxieschichten erzeugt. Das Ausheilverhalten dieser Defekte wurde mittels DLTS und Positronenannihilation nach isochronalen Ausheilschritten (30min bei 430 - 1700C) systematisch untersucht.
In DLTS-Spektren von e-bestrahltem 4H-SiC dominiert nach Ausheilung bei TA=430C das Z1/Z2-Zentrum. Erst ab TA>1200C wird eine Abnahme der Z1/Z2-Konzentration beobachtet. Im Falle des e-bestrahlten 6H-SiC steigt die Konzentration des dominierenden E1/E2-Zentrums bis zu Ausheiltemperaturen TA>1000C an und sinkt danach bis TA=1400C unter die Nachweisgrenze. An identisch behandelten 4H-/6H-SiC Epitaxieschichten wurden jeweils nach den Temperschritten Untersuchungen mittels Positronenannihilation durchgeführt. Zwischen der Temperaturabhängigkeit des S-Parameters und der Temperaturabhängigkeit der mittels DLTS bestimmten Defektkonzentration wurden eindeutige Korrelationen festgestellt. Die Struktur der beobachteten Eigendefekte wird diskutiert.
 * derzeit Humboldt-Stipendiat an der Universität Halle-Wittenberg

100% | Mobil-Ansicht | English Version | Kontakt/Impressum/Datenschutz
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 2001 > Hamburg