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HL: Halbleiterphysik
HL 22: SiC
HL 22.8: Talk
Tuesday, March 27, 2001, 17:15–17:30, S17
Gitterplatzbestimmung von Lithium in Siliciumcarbid — •Stefano Virdis1, Ulrich Vetter1, Helge Kroeger1, Carsten Ronning1, Hans Hofsaess1 und Marc Dietrich2 — 1II Physikalisches Institut, Gergia Augusta Universitaet, Bunsenstrasse 7-9, 37073 Goettingen — 2CERN,Genf, die Schweiz
Das Interesse an Lithium fuer die Herstellung von HL-Bauelementen wie p-i-n-Dioden beruht auf seiner Eigenschaft, Kristalldefekte aus Verunreinungen elektrisch zu kompensieren (Passivation). Im Gegensatz zu Halbleitern wie Si, Diamant und zahlreichen III-V und II-VI Verbindungshalbleitern ist das Verhalten von Lithium in Siliciumcarbid bisher kaum untersucht worden [1]. In dieser Arbeit wurde der Gitterplatz von Li in SiC bestimmt und dessen Diffusionsverhalten untersucht. Dazu wurde radioaktives Li8 an ISOLDE (CERN) in 6H-, 4H- und 3C-SiC implantiert und die Gitterfuehrungseffekte der emittierten alpha-Teilchen fuer Implantationstemperaturen zwischen 100 K und 900 K untersucht. Die Ergebnisse der Emission-Channeling Messungen mit Li8 wurden mit Montecarlo-Simulationen verglichen.
[1] Goncharov et al., Soviet Solid States Physics , 27, 2098 (1985)