HL 22: SiC
Tuesday, March 27, 2001, 15:30–18:15, S17
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15:30 |
HL 22.1 |
Formation und Aggregation von Antisite–Paaren in hexagonalem SiC — •E. Rauls, Z. Hajnal, P. Deák und T. Frauenheim
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15:45 |
HL 22.2 |
Einfluß von Isotopenunordnung auf die Linienbreite von Phononen im Ramanspektrum von SiC — •S. Rohmfeld, M. Hundhausen, L. Ley, N. Schulze und G. Pensl
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16:00 |
HL 22.3 |
Magnetische Resonanzuntersuchungen an Paardefekten in bestrahltem 6H-SiC — •Th. Lingner, S. Greulich-Weber und J.- M. Spaeth
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16:15 |
HL 22.4 |
Antiresonanz im UV-Ramanspektrum von 6H-Siliziumkarbid — •R. Püsche, S. Rohmfeld, M. Hundhausen und L. Ley
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16:30 |
HL 22.5 |
DLTS- und Positronenannihilations-Untersuchungen an mit 2 MeV-Elektronen bestrahltem 4H/6H-SiC — •Michael Weidner, Thomas Frank, Gerhard Pensl, Atsuo Kawasuso*, Hisayoshi Itoh, Frank Redmann und Reinhard Krause-Rehberg
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16:45 |
HL 22.6 |
Si-Nanokristalle in MBE-gewachsenen SiC-Nanosäulenstrukturen auf SiC — •Andreas Fissel, Ravil Akhtariev, Ute Kaiser, Hartmut Hobert und Wolgang Richter
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17:00 |
HL 22.7 |
MBE von SiC-Quantenfilmstrukturen — •Andreas Fissel, Ute Kaiser, Jürgen Kräußlich, Bernd Schröter, Hartmut Hobert, Wolfgang Richter und Friedhelm Bechstedt
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17:15 |
HL 22.8 |
Gitterplatzbestimmung von Lithium in Siliciumcarbid — •Stefano Virdis, Ulrich Vetter, Helge Kroeger, Carsten Ronning, Hans Hofsaess und Marc Dietrich
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17:30 |
HL 22.9 |
C-interstitials in SiC: Ein Modell für den DII-Defekt — •Alexander Mattausch, Michel Bockstedte und Oleg Pankratov
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17:45 |
HL 22.10 |
Beryllium in 4H-SiC: Identifikation einer tiefen Störstelle mittels Radiotracer-DLTS — •F. Albrecht, N. Achtziger, J. Grillenberger und W. Witthuhn
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18:00 |
HL 22.11 |
Charakterisierung von Oxid/Halbleiter Grenzflächen an 6H- und 3C-SiC MOS-Strukturen — •Georg Steinhoff, Martin Eickhoff und Gerhard Wachutka
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