Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: GaN I

Tuesday, March 27, 2001, 15:30–18:00, S2

	15:30	HL 23.1	Piezoelektrische Felder in InGaN Quantenfilmen — •T. Stephan, H. Kalt, B. Neubauer, D. Gerthsen, O. Schön und M. Heuken
	15:45	HL 23.2	Optische Nahfeldmikroskopie an GaInN/GaN-Hetero- strukturen — •F. Hitzel, A. Hangleiter, H.-J. Lugauer, and V. Härle
	16:00	HL 23.3	Flow modulation growth of GaN by hydride vapor phase epitaxy — •Wei Zhang, Helder R. Alves, Dirk Meister, Detlev M. Hofmann, Bruno K. Meyer, Till Riemann, Peter Veit, Alois Krost, and Juergen Christen
	16:15	HL 23.4	Adsorption and incorporation of Si at (0001)GaN surfaces: the interplay between bulk solubility and Si3N4 formation — •A.L. Rosa, J. Neugebauer, J.E. Northrup, C.D. Lee, and R.M. Feenstra
	16:30	HL 23.5	Gitterplatzbestimmung und PL-Messungen an Seltenen Erden in GaN — •K. Lorenz, R. Vianden, E. Alves, M.F. da Silva und J.C. Soares
	16:45	HL 23.6	Untersuchungen der lokalen Ladungsträgerdynamik im Femtosekundenbereich mit sub-µm Ortsauflösung — •Wolfram Ibach, Othmar Marti und Olaf Hollricher
	17:00	HL 23.7	Temperaturabhängigkeit der optischen Verstärkung und Sättigung in (In,Ga)N/GaN/(Al,Ga)N-Laserstrukturen — •I. Gösling, M. Vehse, P. Michler, J. Gutowski, S. Bader, G. Brüderl, A. Lell, B. Hahn und V. Härle
	17:15	HL 23.8	Untersuchungen zum Fernfeld und zur Wellenführung in (In,Ga)N/GaN/(Al,Ga)N - Laserstrukturen — •M. Röwe, P. Michler, J. Gutowski, S. Bader, B. Hahn, A. Weimar, A. Lell und V. Härle
	17:30	HL 23.9	Study of the mosaicity of GaN epitaxial layer by X-ray diffraction — •Rosa Chierchia, Heidrun Heinke, Tim Boettcher, Sven Einfeldt, and Detlef Hommel
	17:45	HL 23.10	Herstellung und Charakterisierung kubischer AlGaN Epitaxieschichten und AlGaN/GaN Quantum-Trog-Strukturen — •Donat As, Alexandre Khartchenko, Martin Bartels, Thomas Frey, Ulrich Köhler, Detlef Schikora und Klaus Lischka