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HL: Halbleiterphysik
HL 23: GaN I
HL 23.10: Talk
Tuesday, March 27, 2001, 17:45–18:00, S2
Herstellung und Charakterisierung kubischer AlGaN Epitaxieschichten und AlGaN/GaN Quantum-Trog-Strukturen — •Donat As, Alexandre Khartchenko, Martin Bartels, Thomas Frey, Ulrich Köhler, Detlef Schikora und Klaus Lischka — Universität Paderborn, FB-6 Physik, Warburger Str. 100, D-33095 Paderborn
Kubische AlGaN/GaN Heterostrukturen und AlGaN/GaN Quantum-Trog- Strukturen mit einem Al-Gehalt kleiner als 25% wurden mit plasma-assistierter Molekularstrahlepitaxie auf GaAs (001) Substraten hergestellt. Die Multi-Quantum-Trog-Struktur (MQW) besteht aus zehn 2.4 nm breiten, verspannten kubischen GaN Trögen eingebettet in Al0.12Ga0.88N Barrieren mit einer Barrierendicke von 4.8 nm. Hochauflösende Röntgenbeugung (HRXRD) und temperaturabhängige Kathodolumineszenzmessungen (CL) wurden zur strukturellen und optischen Charakterisierung verwendet. Röntgenuntersuchungen demonstrieren die gute Kristallqualität der kubischen AlGaN Schichten und zeigen eine deutliche Satellitenstruktur für die MQW-Struktur. In den Raumtemperatur CL-Messungen wird eine lineare Zunahme der Bandlücke mit steigendem Al-Gehalt beobachtet. Eine deutliche strahlende Rekombination zwischen den quantisierter Zuständen im GaN Quantum Topf wird bei 3.323 eV gemessen, welche mit theoretisch berechneten Übergangsenergien hervorragend übereinstimmt.