Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: GaN I

HL 23.5: Talk

Tuesday, March 27, 2001, 16:30–16:45, S2

Gitterplatzbestimmung und PL-Messungen an Seltenen Erden in GaN — •K. Lorenz¹, R. Vianden¹, E. Alves², M.F. da Silva² und J.C. Soares² — ¹Institut für Strahlen- und Kernphysik, Univ. Bonn — ²Instituto Tecnològico e Nuclear, Sacavem, Portugal

Die Seltenen Erden Ce, Pr, Eu, Dy, Er, Tm und Lu wurden mit einer Energie von 160 keV und mit Dosen von 5· 10¹⁴ cm⁻² und 5·10¹⁵ cm⁻² in (0001) GaN-Filme implantiert. Der Einbau der Fremdatome und das Ausheilen des Gitters wurden mit Channeling- und RBS-Messungen untersucht. Es wurde gezeigt, dass alle betrachteten Elemente substitutionell auf Ga-Plätzen eingebaut werden. Für die niedrigere Dosis kann durch Kurzzeittempern ein großer Teil der Gitterschäden ausgeheilt werden. Die Implantation mit der höheren Dosis verursacht eine völlige Amorphisierung der Oberflächenschicht. Außerdem wurde in mehreren Fällen ein starker Abtrag der GaN-Schichten von bis zu 200 nm beobachtet. Die optische Aktivierung der Fremdatome wurde mittels Photolumineszenz-Messungen untersucht.