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10:30 |
HL 24.1 |
Korrelation zwischen Oberflächenleitfähigkeit und Dotierung von synthetischen (100)-Diamantoberflächen — •M. Stammler, M. Riedel, H. Eisenbeiß, B.F. Mantel, J. Ristein und L. Ley
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10:30 |
HL 24.2 |
High-resolution cathodoluminescence study of free excitons in diamond — •N. Teofilov, R. Sauer, K. Thonke, H. Kanda, and T. Anthony
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10:30 |
HL 24.3 |
Abhängigkeit der Ramanmoden von der Anregungsenergie in Kohlenstoffnanotubes — •Janina Maultzsch, Stephanie Reich und Christian Thomsen
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10:30 |
HL 24.4 |
Infrared and Raman Spectroscopic Studies on Diamond Thin Films. — •M. Roy, A.K. Dua, V.C. George, M. Friedrich, and D.R.T. Zahn
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10:30 |
HL 24.5 |
Diffusion von Bor in Siliciumkarbid — •Hartmut Bracht, Michael Laube, Kathrin Rüschenschmidt, Nicolaas Stolwijk und Gerhard Pensl
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10:30 |
HL 24.6 |
Einfluß einer Si/B- bzw. Ne/B-Coimplantation auf die Bordiffusion in 6H-SiC — •M. Laube, G. Pensl, H. Bracht und N. Stolwijk
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10:30 |
HL 24.7 |
Near Interface Traps an der Grenzfläche von 4H-SiC MOS Kondensatoren — •Florin Ciobanu, Michael Bassler, Gerhard Pensl und Valery Afanas’ev
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10:30 |
HL 24.8 |
Laserkristallisation von a-SiC auf Glas über die Schmelzphase — •Sabine Urban, Fritz Falk, Tatiana Gorelik und Christian Schubert
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10:30 |
HL 24.9 |
Photolumineszenzmessungen an Emissionen homogen verteilter Volumendefekte, die im Rahmen der Nuklearen Transmutationsdotierung durch Neutronen induziert wurden. — •Horst Sadowski, Hans Heissenstein und Reinhard Helbig
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10:30 |
HL 24.10 |
Nachweis von implantationsinduzierter Defektgeneration in GaN durch tiefenaufgelöste Störstellenspektroskopie — •Andre Krtschil, Andy Kielburg, Hartmut Witte, Jürgen Christen, Alois Krost, Axel Wenzel und Bernd Rauschenbach
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10:30 |
HL 24.11 |
Hochauflösende Röntgenfeinstruktur-Untersuchungen an (InGaN/GaN) und (AlGaN/GaN) - Multiquantumwell-Strukturen — •F. Schulze, J. Bläsing, A. Dadgar, A. Krost und M. Heuken
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10:30 |
HL 24.12 |
Compensation Mechanisms in MBE and MOVPE grown GaN — •Helder R. Alves, Dirk Meister, Albrecht Hofstaetter, Detlev M. Hofmann, and Bruno K. Meyer
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10:30 |
HL 24.13 |
Tiefenaufgelöste Strukturuntersuchungen an Nitrid-Halbleiter-Schichtsystemen mittels SAXRD (Skew Angle X-Ray Diffraction) — •A. Reiher, J. Bläsing und A. Krost
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10:30 |
HL 24.14 |
Störstellencharakterisierung an AlGaN- Schichten mittels elektrischer und photoelektrischer Methoden — •Hartmut Witte, Andre Krtschil, Eike Schrenk, Andy Kielburg, Jürgen Bläsing, Annette Diez, Alois Krost, Jürgen Christen und Michael Heuken
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10:30 |
HL 24.15 |
Ortsaufgelöste Photolumineszenz-Messungen an homoepitaktischen GaN-Schichten bei tiefen Temperaturen — •Ralf Schönfelder, Uwe Seibt, Klaus Thonke und Rolf Sauer
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10:30 |
HL 24.16 |
Kohlenstoffdotierung kubischer GaN-Epitaxieschichten — •Ulrich Köhler, Donat As, Martin Lübbers, Jürgen Mimkes und Klaus Lischka
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10:30 |
HL 24.17 |
Zwei- und Dreiphotonen-Spektroskopie an heteroepitaktischem GaN — •C. Schweitzer, D. Fröhlich, K. Reimann, S. Einfeldt und D. Hommel
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10:30 |
HL 24.18 |
Ellipsometrische Untersuchungen von Gitterschwingungen und Bandlückenenergien kubischer Al1−xGaxN-Filme — •A. Kasic, M. Schubert und D. J. As
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10:30 |
HL 24.19 |
Elektrooptische Effekte in GaN — •R. Goldhahn, S. Shokhovets und G. Gobsch
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10:30 |
HL 24.20 |
Ellipsometrie an hexagonalen Nitridhalbleitern: Bestimmung der optischen Anisotropie — •S. Piekh, S. Shokhovets, R. Goldhahn und G. Gobsch
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10:30 |
HL 24.21 |
Phase separation in c - InGaN / GaN double heterostructures — •Olaf Husberg, Alexandre Khartchenko, Thomas Frey, Donat As und Klaus Lischka
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10:30 |
HL 24.22 |
Einbau von Sb in GaN Molekularstrahlepitaxie-Schichten — •P. Cristea, D.G. Ebling und K.W. Benz
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10:30 |
HL 24.23 |
Polarisationsinduzierte 2D-Löchergase in GaN/AlGaN Heterostrukturen — •S. Hackenbuchner, J. A. Majewski, G. Zandler, O. Ambacher und P. Vogl
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10:30 |
HL 24.24 |
Leitungsbandnichtparabolizität und Banddiskontinuitäten in GaNxAs1−x/GaAs Quantenschichtstrukturen — •H. Grüning, P.J. Klar, W. Heimbrodt, J. Koch, W. Stolz, E.P. O’Reilly und M. Kamal Saadi
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10:30 |
HL 24.25 |
Stöchiometrieänderungen durch selektive Leerstellenbildung auf (110)-Oberflächen von III-V-Halbleitern: Einfluß elektronischer Effekte — •U. Semmler, M. Simon, Ph. Ebert und K. Urban
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10:30 |
HL 24.26 |
Defect generation and blistering studies of hydrogen implanted GaAs — •I. Radu, R. Scholz, M. Alexe, and U. Gösele
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10:30 |
HL 24.27 |
Zweidimensionale Elektronensysteme an geätzten Grenzflächen. — •S. Beyer, S. Löhr, C. Heyn und W. Hansen
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10:30 |
HL 24.28 |
Elektronische Eigenschaften von Gruppe III-Nitrid Legierungen — •F. Sökeland, M. Rohlfing, P. Krüger und J. Pollmann
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10:30 |
HL 24.29 |
Untersuchung der Phononeneigenschaften von hochgradig ungeordnetem (AlxGa1−x)0.52In0.48P (0≤ x≤ 1) mittels Ferninfrarot Spektralellipsometrie und Ramanspektroskopie — •Tino Hofmann, Mathias Schubert, Gunnar Leibiger und Volker Gottschalch
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10:30 |
HL 24.30 |
Optische Konstanten, Phononen-Eigenschaften und Zusammensetzung von InGaAsN Einzelschichten — •Gunnar Leibiger, Volker Gottschalch und Mathias Schubert
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10:30 |
HL 24.31 |
Optical investigation of AlxGa1−xN alloys grown on AlN epitaxial films — •N. Teofilov, K. Thonke, L. Kirste, D. Ebling, R. Sauer, and K. Benz
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10:30 |
HL 24.32 |
Metallorganische Gasphasenepitaxie von GaNyP1−y — •Gunnar Leibiger, Volker Gottschalch, Reinhardt Schwabe und Gabriele Benndorf
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10:30 |
HL 24.33 |
Optische und elektrooptische Charakterisierung von geordnetem InGaAs und InGaAsP im Hinblick auf polarisationssensitive Bauelementanwendungen — •J. Spieler, A. Lese, T. Kippenberg, P. Kiesel, P. Velling, S. Neumann und G.H. Döhler
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10:30 |
HL 24.34 |
Temperature Dependence of the Homogeneous Linewidth of Localized Excitons in GaAs/AlAs Superlattices — •H. Zhao, S. Wachter, and H. Kalt
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10:30 |
HL 24.35 |
Analyse von Versetzungsringen in III-V-Verbindungshalbleitern mittels konvergenter Elektronenbeugung — •Christian Jäger, Erdmann Spiecker, Wolfgang Jäger und Jean Paul Morniroli
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10:30 |
HL 24.36 |
Schwingungseigenschaften von (GaN)N1(Ga1−xAlxN)N2-Supergittern — •Hartmut Grille
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10:30 |
HL 24.37 |
Ab initio calculations of GaAs and InAs phonons under stress — •María Machón, Pablo Ordejón, Stephanie Reich, Alejandro Goñi, and Christian Thomsen
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10:30 |
HL 24.38 |
Polyaniline-based gas and vapour sensors — •Jens Reemts, Dmitri Godovsky, and Juergen Parisi
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10:30 |
HL 24.39 |
Polyaniline-based gas and vapour sensors — •Jens Reemts, Dmitri Godovsky, and Juergen Parisi
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10:30 |
HL 24.40 |
Sulfidische photochemische Passivierung - eine Methode zur Reduzierung der Oberflächenzustandsdichte von III-V Halbleitern — •Thorsten Simonsmeier und Wolfgang Bauhofer
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10:30 |
HL 24.41 |
Einfluß der Temper-Bedingungen auf die implantationsinduzierte Durchmischung von AlxGa1−xAs/GaAs/AlxGa1−xAs Quantumwells — •S. Cronenberg, D. Reuter, S. Eshlagi und A. D. Wieck
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10:30 |
HL 24.42 |
Neuartiger Siliziumkontakt mit extrem niedriger Schottky-Barriere basierend auf DySi2-Monolagen — •Sophie Vandré, Christian Preinesberger, Wolfgang Busse und Mario Dähne
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10:30 |
HL 24.43 |
Struktur und Dynamik Wismut-bedeckter III-V(110) Oberflächen — •Jürgen Fritsch, Alexander Dvořák und Stefan Tausendpfund
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10:30 |
HL 24.44 |
Topographie von Si-Spaltflächen im Bereich von nm bis µ m — •J.K. Garleff, K. Sauthoff, M. Wenderoth, K.J. Engel, N. Quaas, T.C.G. Reusch und R.G. Ulbrich
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10:30 |
HL 24.45 |
Grenzflächenmodifizierung von Sn/InP(001) durch Arsen und Schwefel — •Kerstin Gebhardt, Sergej Sloboshanin und Thomas Chassé
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10:30 |
HL 24.46 |
UHV-Ramanspektroskopie an CdSe Monolagen auf BeTe Oberflächen — •J.W. Wagner, T. Muck, V. Wagner, J. Geurts, L. Hansen, A. Waag, S.V. Sorokin, S.V. Ivanov und P.S. Kop’ev
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10:30 |
HL 24.47 |
Raman- und Photolumineszenzspektroskopie an BeTe/CdSe-Heterostrukturen und Grenzflächen — •T. Muck, J. Wagner, V. Wagner, J. Geurts, L. Hansen, A. Waag, N. Sadchikov, S.V. Sorokin, S.V. Ivanov und P.S. Kop’ev
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10:30 |
HL 24.48 |
Charakterisierung der Rekonstruktion von P-haltigen III-V-Halbleitergrenzflächen — •Thomas Hannappel, Lars Töben, Matthias Neges, Kristof Möller, Sven Visbeck, Christian Pettenkofer und Frank Willig
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10:30 |
HL 24.49 |
Quantum-Confined Stark Effekt (QCSE) und Franz-Keldysh-Oszillationen (FKO) für InAs-Monolagen in GaAs — •Holger von Wenckstern, Heidemarie Schmidt, Rainer Pickenhain und Volker Gottschalch
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10:30 |
HL 24.50 |
Herstellung und Charakterisierung von CdS/ZnSe Heterostrukturen — •Matthias Dremel, M. Grün, M. Schmidt, C. Camard, A. Vogelsang und C. Klingshirn
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10:30 |
HL 24.51 |
Untersuchungen der Kopplung von Fermi-Kanten-Singularität und Exziton — •L. Karsten, K.-B. Broocks, C. Schüller, Ch. Heyn und D. Heitmann
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10:30 |
HL 24.52 |
Laterale raum-zeitliche Instabilitäten in einer resonanten Tunneldiode — •Marc Rudolf, Andreas Amann und Eckehard Schöll
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10:30 |
HL 24.53 |
Einfluß des Streufeldes ferromagnetischer Filme auf den Transport in zweidimensionalen Elektronengasen — •S. Hoch, D. Reuter, A. D. Wieck, M. Doi, B. Roldán Cuenya und W. Keune
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10:30 |
HL 24.54 |
TEM-Untersuchungen an InAs-Heterostrukturen und Quantenpunkten auf GaAs-Substrat — •Stefan Mendach, Christian Heyn, Rainer Anton und Wolfgang Hansen
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10:30 |
HL 24.55 |
Herstellung von zweidimensionalen Elektronengasen durch Überkompensation von selektiv p-dotierten AlxGa1−xAs/GaAs Heterostrukturen — •Christof Riedesel, Cedrik Meier, Maria Antonia Serrano Álvarez, Dirk Reuter und Andreas D. Wieck
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10:30 |
HL 24.56 |
Antidot arrays in GaAs/AlxGa1−xAs heterostructures prepared by Au+- Focused Ion Implantation — •D. Diaconescu, S. Hoch, D. Reuter, and A. D. Wieck
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10:30 |
HL 24.57 |
Umverteilung von Ladungsträgern in hoch angeregten (GaAs)m(AlAs)n–Supergittern nahe des TypI–TypII–Übergangs — •Georg Böhm und Frank Frost
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10:30 |
HL 24.58 |
Quantitative Analyse der Übergangsenergien in modulationsdotierten GaAs/AlGaAs Quantentrogstrukturen — •J. Eberhardt, W.-M. Gnehr, G. Gobsch, R. Goldhahn, K. Pierz und L. Gottwaldt
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10:30 |
HL 24.59 |
Photolumineszenzanregungsspektroskopie an zweidimensionalen Elektronen- und Löchergasen in Quantentrogstrukturen — •A. Herasimovich, S. Shokhovets, R. Goldhahn und G. Gobsch
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10:30 |
HL 24.60 |
Morphologie MBE-gewachsener CaF2-Schichten auf Si(111) — •B.H. Müller, C. Wang und K.R. Hofmann
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10:30 |
HL 24.61 |
Laterale Verteilung versetzungsgebundener Exzitonen und Defektkonfiguration in (001) ZnSe Schichten — •Uwe Hilpert, Lukas Worschech, Dirk Rudloff, Jürgen Schreiber und Wolfgang Ossau
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10:30 |
HL 24.62 |
Entwicklung eines Absorbers für eine ultra - dünne Nanokomposit - Solarzelle — •Pavel Schilinsky, Dmitri Godovsky, Jürgen Parisi, Walter Caseri und Paul Smith
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10:30 |
HL 24.63 |
Untersuchung des Ladungstransfermechanismus in Zn-Phthalocyanin-Fulleren-Kompositen mit Photolumineszenz- und LESR-Spektroskopie — •Ch. Pannemann, G. Domann, M. Knipper, V. Dyakonov, J. Parisi, O. Hild und D. Wöhrle
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10:30 |
HL 24.64 |
Diffusion photovoltage in poly-(p-phenylenevinylene — •volodimyr Duzhko, Thomas Dittrich, Boris Kamenev, Victor Yu. Timoshenko, and Wolfgang Bruetting
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10:30 |
HL 24.65 |
Experimental characterization and simulation of P3OT-based field effect devices — •Susanne Scheinert and Gernot Paasch
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10:30 |
HL 24.66 |
Kapazitive Detektion oszillierender nanomechanischer Resonatoren mit Hilfe eines On-Chip Vorverstärkers — •A. Hörner, F.W. Beil, E. Höhberger und R.H. Blick
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10:30 |
HL 24.67 |
Zeitliche Evolution der spinabhängigen Wechselwirkung von Exzitonen in ZnSe/ZnMgSSe Quantenfilmen — •S. Wachter, M. Maute, H. Kalt, G. Brown und I. Galbraith
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10:30 |
HL 24.68 |
Dynamik der Exzitonbildung in Quantendrähten bei bandkantennaher Anregung — •K. Siantidis, V. M. Axt und T. Kuhn
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10:30 |
HL 24.69 |
2D-Coulomb-Quantenkinetik und der Aufbau der Abschirmung in Dichtematrixformulierung. — •Thorsten Wolterink, V.M. Axt und T. Kuhn
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10:30 |
HL 24.70 |
Biexzitonische Effekte in Halbleitern nach ultrakurzer Anregung freier Elektron-Loch-Paare — •Juliane Wühr, V.M. Axt und T. Kuhn
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10:30 |
HL 24.71 |
Quantenkinetik des Ladungsträgereinfangs in lokalisierte Zustände — •Markus Glanemann, T. Kuhn und V.M. Axt
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10:30 |
HL 24.72 |
Kohärente Oszillationen zwischen Quantenmechanik und klassischer Physik — •Martin Eckardt, Lucio Robledo, Axel Schwanhäußer und Gottfried Döhler
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10:30 |
HL 24.73 |
Transportmessungen an AlGaAs pinip- und nipin-Strukturen mit Femtosekundenzeitauflösung — •Axel Schwanhäußer, Holger Lutz, Martin Eckardt, Lucio Robledo, Gottfried Döhler und Alois Seilmeier
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10:30 |
HL 24.74 |
Femtosecond spectroscopy of low-temperature GaAs — •Tobias Korn, Antonia Jaye, Sandra Schnuell, and Ingrid Wilke
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10:30 |
HL 24.75 |
Untersuchungen des elektrischen und thermischen Verhaltens von Solarzellen aus multikristallinem Silizium — •V. Schlosser, A. A. El-Amin, P. Bajons, G. Klinger, R. Ebner und J. Summhammer
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10:30 |
HL 24.76 |
Niedertemperaturepitaxie von Silizium mittels Ionen-assistierter Deposition für die Photovoltaik: Einfluss der Substratorientierung — •T. A. Wagner, L. Oberbeck und R. B. Bergmann
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10:30 |
HL 24.77 |
CdTe-Dünnschicht-Solarzellen: der SnO2/CdS Frontkontakt — •Jochen Fritsche, Stefan Gunst, Andreas Thißen, Andreas Klein und Wolfram Jaegermann
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10:30 |
HL 24.78 |
Untersuchungen der lateralen Inhomogenitäten polykristalliner CdTe-Schichten — •Andreas Thißen, Andreas Klein und Wolfram Jaegermann
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10:30 |
HL 24.79 |
Tunnel-Transport in a-Si:H/c-Si-Heterobarrieren aus Kapazitätsanalysen — •Thomas Unold, Karsten Brendel und Gottfried Heinrich Bauer
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10:30 |
HL 24.80 |
Photovoltaik-Zellen für die Laserleistungsübertragung — •Sascha van Riesen und Andreas Bett
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10:30 |
HL 24.81 |
Highly (112) oriented CuInS2 films deposited by RF sputtering — •Yunbin He, Angelika Polity, Ingo Österreicher, Ralf Gregor, and Bruno K. Meyer
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10:30 |
HL 24.82 |
Analyse des Ladungsträgertransports in µc-SiGe mit Hall- und Photoleitungsmessungen — •Felix Voigt, Thomas Unold, Rulolf Brüggemann, Reinhard Carius und Gottfried Heinrich Bauer
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10:30 |
HL 24.83 |
Herstellung von Si-Schichten mittels CVD für kristalline Silicium-Dünnschichtsolarzellen — •S. Bau, J. Denter, N. Schillinger und A. Hurrle
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10:30 |
HL 24.84 |
Elektronenbestrahlung von mikrokristallinem Silizium — •Rudolf Brüggemann, Wolfgang Bronner und Michael Mehring
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10:30 |
HL 24.85 |
OPTICAL PROPERTIES OF CuGaSe2 THIN FILMS GROWN BY TWO-SOURCE CVD — •Alexander Meeder, David Fuertes-Marron, Daniel Fischer, Thorsten Dylla, Appavu Mariappan Sembian, Arnulf Jäger-Waldau, and Martha Christina Lux-Steiner
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10:30 |
HL 24.86 |
Ramanspektroskopie an dünnen Cu(In,Ga)S2 - Absorberschichten für Solarzellen — •T. Riedle, A. Neisser, K. Otte, R. Klenk, N. Esser, W. Richter und M.C. Lux-Steiner
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10:30 |
HL 24.87 |
Thickness evaluation of ultra-thin SiO2 layers for ULSI applications — •Andreas Kerber, Joze Bevk, Tom Sorsch, and Erich Vass
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10:30 |
HL 24.88 |
Behaviour of doping atoms in ferromagnetic semiconductors as investigated by hyperfine interactions — •V. Samokhvalov , I. Burlakov , G. Erfurt , S. Unterricker , M. Dietrich, I. Tiginyanu, and ISOLDE - Collaboration
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10:30 |
HL 24.89 |
Electric field gradients in chalcogenide spinels studied by 111In(111Cd) - PAC — •I. Burlacov, V. Samokhvalov, S. Unterricker, M. Dietrich, I. Tiginyanu, and ISOLDE - Collaboration
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10:30 |
HL 24.90 |
Ein geschlossener Ausdruck für die Beschreibung der Strom-Spannungs Kennlinie von pin Solarzellen — •Kurt Taretto, Uwe Rau und Juergen Werner
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10:30 |
HL 24.91 |
Raum-zeitlich aufgelöste Untersuchungen zum Ladungsträgertransport in Halbleiter-Photoschaltern — •J. Hübner, W.W. Rühle, M. Bieler, G. Hein, K. Pierz, U. Siegner, M. Koch, M. Oestreich, M.W. Feise und D.S. Citrin
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10:30 |
HL 24.92 |
Demonstration von Heterostruktur-Bipolartransistoren und Elektroabsorptionsmodulatoren auf der Basis eines multifunktionalen Schichtdesign — •T. Reimann, M. Schneider, P. Velling, S. Neumann, M. Agethen, R.M. Bertenburg, R. Heinzelmann, A. Stöhr, D. Jäger und F.-J. Tegude
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10:30 |
HL 24.93 |
Räumliche Abbildung von Strominhomogenitäten in Halbleitermaterialien mittels eines Tieftemperatur-Raster-Laser-Mikroskops — •Lars Bornemann, Achim Kittel und Jürgen Parisi
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10:30 |
HL 24.94 |
Elektronentransport durch gekoppelte Quantenpunkte mit Hilfe von Karbonbrücken — •Carsten R. Decker, Alexander W. Holleitner, Hua Qin, Karl Eberl und Rober H. Blick
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10:30 |
HL 24.95 |
Elektronentransport durch gekoppelte Quantenpunkte mit Hilfe von Karbonbrücken — •Carsten R. Decker, Alexander W. Holleitner, Hua Qin, Karl Eberl und Rober H. Blick
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10:30 |
HL 24.96 |
Characterization of resonating silicon nanostructures — •L. Pescini, D. V. Scheible, A. Erbe, R. H. Blick, H. Lorenz, and J. P. Kotthaus
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10:30 |
HL 24.97 |
Lasercleaning von Siliziumwafern — •Micha Bertsch, Mario Mosbacher, Hans-Joachim Münzer, Johannes Boneberg, Paul Leiderer und Bernd-Uwe Runge
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10:30 |
HL 24.98 |
MBE-Wachstum von AlGaAs-Schichten auf vorstrukturierten GaAs-Substraten — •W. Limmer, K. Bitzer und R. Sauer
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10:30 |
HL 24.99 |
Comprehensive study of experimental parameters influencing Raman-Spectroscopy results — •Simona Kouteva-Arguirova, Tzanimir Arguirov, Armin Fischer, Jürgen Reif, and Dirk Wolfframm
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10:30 |
HL 24.100 |
Combined electrical and optical heating in thermal wave microscopy of semiconductor devices — •D. Dietzel, H. H. Althaus, B. K. Bein, J. Pelzl, C. Crell, H. Roecken, N. Trannoy, and J.-S. Antoniow
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HL 24.101 |
Elektrische und thermoelektrische Transporteigenschaften von ReSi1.75 und Ru2Si3 Einkristallen — •J. Schumann, H. Vinzelberg, C.A. Kleint, G. Behr, J. Werner und L. Ivanenko
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10:30 |
HL 24.102 |
Abstimmbare DFB Halbleiterlaser auf InGaAsP/InP Basis — •Martin Müller, Martin Kamp, Jean-Louis Gentner und Alfred Forchel
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