Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.10: Poster
Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Nachweis von implantationsinduzierter Defektgeneration in GaN durch tiefenaufgelöste Störstellenspektroskopie — •Andre Krtschil1, Andy Kielburg1, Hartmut Witte1, Jürgen Christen1, Alois Krost1, Axel Wenzel2 und Bernd Rauschenbach3 — 1Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, 39016 Magdeburg — 2Institut für Physik, Universität Augsburg, 86135 Augsburg — 3Institut für Oberflächenmodifizierung Leipzig und Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, 04318 Leipzig
Am Beispiel von MBE-gewachsenen GaN-Schichten auf Saphirsubstrat wird gezeigt, wie sich der Störstellenhaushalt durch die Implantation von Schwefel- und Wasserstoff-Ionen tiefenabhängig verändert. Die dabei generierten Defekte wurden mit Hilfe von DLTS, ODLTS und Admittanzspektroskopie innerhalb einer Schottky-Raumladungszone charakterisiert. Nach der Implantation konnten verschiedene Störstellen mit thermischen Aktivierungsenergien zwischen 260 meV und 1.12 eV nachgewiesen werden, deren Arrheniusplots gute Übereinstimmungen mit bereits aus der Literatur bekannten Elektronentraps zeigen. Bei den tiefenaufgelösten DLTS-Messungen wurde eine starke Abhängigkeit der Trapkonzentration von der angelegten Vorspannung gefunden. Insgesamt wurden für die einzelnen Störstellen zwei unterschiedliche Tiefenprofile beobachtet, die sehr gut mit den Implantations-Tiefenprofilen einerseits und der Verteilung der generierten Stickstoff- und Gallium-Leerstellen andererseits korrelieren. Aufgrund dieser Tatsache können die letzteren Defekte als Vakanz-korrelierte Niveaus interpretiert werden.