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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.101: Poster
Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Elektrische und thermoelektrische Transporteigenschaften von ReSi1.75 und Ru2Si3 Einkristallen — •J. Schumann, H. Vinzelberg, C.A. Kleint, G. Behr, J. Werner und L. Ivanenko — IFW Dresden, PF 270016, D-01171 Dresden
Die halbleitenden Silizide ReSi1.75 und Ru2Si3 werden in jüngster Zeit als potentielle thermoelektrische Materialien untersucht, da sie bei hohen Temperaturen gute Effizienzwerte aufweisen. Die in der vorliegenden Studie durchgeführten Untersuchungen verfolgen das Ziel, das elektrische und thermoelektrische Transportverhalten dieser Verbindungen im einkristallinen Zustand aufzuklären. Dazu werden Einkristalle, die durch Zonenschmelzverfahren mittels optischer Heizung unter hohen Argondruck von 30bar gezüchtet worden sind, strukturell und hinsichtlich ihres elektrischen Transportverhaltens charakterisiert. Die Untersuchungen des elektrischen Widerstandes, der Thermokraft und des Halleffektes werden in einem Temperaturbereich zwischen 300K und 800K durchgeführt. Es wird der Leitungstyp, die Bandlücke sowie die Ladungsträgerkonzentration an undotiert gezüchteten Kristallen bestimmt und Schlußfolgerungen für die notwendige Dotierung gezogen. Aus Tieftemperatur-Untersuchungen des elektrischen Widerstandes werden zusätzliche Informationen zum Transportverhalten gewonnen.