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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.11: Poster

Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Hochauflösende Röntgenfeinstruktur-Untersuchungen an (InGaN/GaN) und (AlGaN/GaN) - Multiquantumwell-Strukturen — •F. Schulze¹, J. Bläsing¹, A. Dadgar¹, A. Krost¹ und M. Heuken² — ¹Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, PF 4120, D-39016 Magdeburg — ²Aixtron AG, Kackertstrasse 15-17, D-52072 Aachen

Ternäre Halbleiterschichtsysteme aus InGaN weisen bei wachsendem In-Gehalt und sinkender Schichtdicke zusätzlich zur Störungsdichte durch Versetzungen Störungen der Homogenität des In-Gehaltes auf. Mit Hilfe von hochauflösender Röntgenbeugung (HRXRD) können durch Ausmessen der reziproken Gitterpunkte Aussagen zur Struktur von epitaktisch gewachsenen InGaN/GaN-Schichtsystemen getroffen werden. Dabei liefern Messungen (reciprocal space maps) an symmetrischen und asymmetrischen Gitterpunkten sowie 2:1-scans Informationen über Stoffkonzentrationen, Verspannungen und Schichtdicken und über Korrelationen der Störungen innerhalb eines Schichtsystems. Sie werden ergänzt durch Röntgenreflexionsmessungen (XRR), welche Aussagen über die Oberflächen- und Interfacerauhigkeiten und Schichtdickenverhältnisse erlauben. An 30*MQW aus AlGaN/GaN wurden ab einem Al-Gehalt von ca. 30% lateral korrelierte Inhomogenitäten im Abstand von 15 nm nachgewiesen. Zusätzlich werden an den Schichtsystemen Photolumineszenz-Messungen durchgeführt. Der Vergleich des Emissionsspektrums mit den Röntgenergebnissen erlaubt Aussagen über den Zusammenhang der Kristallgüte und -struktur sowie den Inhomogenitäten mit der Qualität des PL-Spektrums.