Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.14: Poster
Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Störstellencharakterisierung an AlGaN- Schichten mittels elektrischer und photoelektrischer Methoden — •Hartmut Witte1, Andre Krtschil1, Eike Schrenk1, Andy Kielburg1, Jürgen Bläsing1, Annette Diez1, Alois Krost1, Jürgen Christen1 und Michael Heuken2 — 1Institut für Experimentelle Physik,Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, PF 4120, 39016 Magdeburg — 2Aixtron AG, Kackertstr. 15-17, 52072 Aachen
Mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie auf Saphir abgeschiedene GaN-Schutzschicht / Al1−xGaxN-Schichten (x = 0 - 0.25, n =(1017- 7x1018) cm −3) wurden mit Hilfe der Methoden Thermische Admittanzspektroskopie, Thermisch Stimulierte Ströme und Deep Level Transient Spectroscopy untersucht. Neben zwei dominierenden Hochtemperaturtraps mit thermischen Aktivierungsenergien zwischen 300-500 meV wurden weitere flachere Störstellen nachgewiesen. Mittels optischer Absorptionsmessungen, Photoleitung und der optischer Admittanzspektroskopie wurden das optische Gap und die Störstellen- Band- Übergänge detailliert untersucht. Dabei treten Übergänge im Bereich EG-(300-400) meV auf, deren Eigenschaften mit denen der entsprechenden thermischen Emissionen gut korrelieren. Mit steigendem Al-Gehalt in den Schichten entsteht eine Raumladung in der GaN / AlGaN-Grenzfläche, deren Anteile durch spannungsabhängige Messungen getrennt werden können.