Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.15: Poster

Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Ortsaufgelöste Photolumineszenz-Messungen an homoepitaktischen GaN-Schichten bei tiefen Temperaturen — •Ralf Schönfelder, Uwe Seibt, Klaus Thonke und Rolf Sauer — Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, 89069 Ulm

Wir stellen spektral hochaufgelöste Tieftemperatur-Messungen an einer homoepitaktischen GaN-Schicht vor. Die Schicht zeigt scharfe (D⁰,X) und (A⁰,X)-Übergänge mit einer Halbwertsbreite von etwa 100 µeV, wobei im (D⁰,X)-Bereich eine mindestens fünffache Unterstruktur zu erkennen ist. Zur Klärung der Ursache dieser Unterstruktur wurden ortsaufgelöste und temperaturabhängige Messungen durchgeführt. Es finden sich dabei mindestens drei relativ ähnliche Donatoren, die vermutlich auf Komplexbildung eines „reinen“ Donators mit weiteren Störstellen zurückzuführen sind. Die verwendete Meßapparatur besteht aus einem selbstentwickelten konfokalen Mikroskop, das Photolumineszenzmessungen bei Heliumtemperatur mit einer lateralen Ortsauflösung kleiner als die PL-Wellenlänge möglich macht. Der beschriebene Aufbau kann für Messungen vom UV-Bereich bis in den fernen IR-Bereich verwendet werden.