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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.17: Poster

Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Zwei- und Dreiphotonen-Spektroskopie an heteroepitaktischem GaN — •C. Schweitzer¹, D. Fröhlich¹, K. Reimann², S. Einfeldt³ und D. Hommel³ — ¹Institut für Physik, Universität Dortmund, 44221 Dortmund — ²Max-Born-Institut für Nichtlineare Optik und Kurzzeitspektroskopie, 12489 Berlin — ³Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, 28359 Bremen

Galliumnitrid ist der wichtigste Halbleiter für die Herstellung optoelektronischer Bauelemente mit einer Emission im blauen und ultravioletten Spektralbereich. Da gitterangepaßte Substrate fehlen, ist das heteroepitaktische Wachstum hochwertiger GaN-Schichten von besonderem Interesse. Die optischen Eigenschaften dieses Materialsystems im Bereich der Exzitonenergien wurden bisher hauptsächlich mit Methoden der linearen Spektroskopie wie Reflexion und Photolumineszenz untersucht. Mit der Verfügbarkeit hochwertiger Schichten, gewachsen mit metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) war es jedoch möglich, auch mit Methoden der Mehrphotonen-Spektroskopie exzitonische Resonanzen aufzulösen. Diese Techniken sind für die Bestimmung der Dispersionsrelation der Exziton-Polaritonen besonders geeignet, da der Gesamtwellenvektor in gewissen Grenzen unabhängig von der Gesamtenergie der beteiligten Photonen eingestellt werden kann (k^→-Raum-Spektroskopie). So konnten Resonanzen auf verschiedenen Polaritonästen mit Zweiphotonenanregungsspektroskopie, der Erzeugung der dritten Harmonischen und der Differenzfrequenzerzeugung ausgemessen werden.