Hamburg 2001 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.1: Poster

Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Korrelation zwischen Oberflächenleitfähigkeit und Dotierung von synthetischen (100)-Diamantoberflächen — •M. Stammler, M. Riedel, H. Eisenbeiß, B.F. Mantel, J. Ristein und L. Ley — Institut für Technische Physik II, Universität Erlangen-Nürnberg, Erwin-Rommel-Str. 1, 91058 Erlangen

Sumitomo Ib,(100) Diamanteinkristalle weisen aufgrund der Herstellungsmethode an der Oberfläche verschieden stark dotierte Wachstumssektoren auf. Dadurch ist es möglich den Einfluß der Dotierung auf die Oberflächenleitfähigkeit (OFL) unter sonst gleichen Bedingungen zu untersuchen. Nach D-Plasmabehandlung zeigen die schwach N-dotierten, im Gegensatz zu den mit 10¹⁹ cm⁻³ N-dotierten Wachstumssektoren eine um mehr als 5 Größenordnungen höhere OFL, obwohl IR-Messungen zeigen, daß die Oberfläche als Ganzes mit Deuterium abgesättigt wird. Hochreine, mit unterschiedlichen Konzentrationen von Stickstoff gewachsene homoepitaktische Schichten zeigen ebenfalls eine nachweisbare Korrelation zwischen Dotierkonzentration und OFL. Erst nach Ionenbeschuß (H-Plasma mit Vorspannung) verschwinden die experimentell beobachteten Unterschiede bezüglich der OFL. Der Einfluß der mit Photolumineszenz nachgewiesenen Stickstoff-Defekte und der damit verbundenen Lage des Ferminiveaus auf die OFL wird diskutiert.