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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.20: Poster
Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Ellipsometrie an hexagonalen Nitridhalbleitern: Bestimmung der optischen Anisotropie — •S. Piekh1, S. Shokhovets2, R. Goldhahn2 und G. Gobsch2 — 1Fakultät für Physik, Belarussische Staatliche Universität Minsk, 220028 Belarus — 2Institut für Physik, TU Ilmenau, PF 100565, 98684 Ilmenau
Wir präsentieren Ergebnisse von ellipsometrischen und Reflexions-Untersuchungen an epitaktischen, hexagonalen GaN- und AlN-Schichten. Die unterschiedliche energetische Lage der Interferenzextrema für s- und p-polarisiertes Licht beweist die Notwendigkeit der Anwendung anisotroper Modelle zur Bestimmung der dielektrischen Funktion (DF) unterhalb des Gaps. Der Einfluß einer Oberflächen- oder/und Grenzflächenschicht auf die Genauigkeit der Daten wird analysiert. Im Energiebereich oberhalb des Gaps lassen sich die optischen Spektren sowohl im Rahmen eines isotropen, als auch eines anisotropen Modells mit ungefähr gleicher Genauigkeit auswerten. Deshalb diskutieren wir die Bedingungen, unter denen die anisotrope DF des Materials oberhalb des Gaps auch für nichtideale Oberflächen bestimmt werden kann.