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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.24: Poster

Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Leitungsbandnichtparabolizität und Banddiskontinuitäten in GaN_xAs_1−x/GaAs Quantenschichtstrukturen — •H. Grüning¹, P.J. Klar¹, W. Heimbrodt¹, J. Koch¹, W. Stolz¹, E.P. O’Reilly² und M. Kamal Saadi² — ¹FB Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps-Universität Marburg — ²Department of Physics, University of Surrey, Guildford, England

Die starke Wechselwirkung des mit dem Leitungsband resonanten Stickstoffniveaus mit den GaAs-artigen Bandzuständen in Ga(N,As) führt zu einer starken Rotverschiebung der Ga(N,As) Bandlücke und zu einer starken Nichtparabolizität der Leitungsbanddispersion. Die Kenntnis dieser Effekte in Ga(N,As)/GaAs Quantenschichtstrukturen ist wichtig, um (Ga,In)(N,As)/Ga(N,As)/GaAs Laserstrukturen für 1.55 µm herzustellen. GaN_xAs_1−x/GaAs Quantenschichtstrukturen mit unterschiedlichen Stickstoffgehalten und Quantenschichtbreiten wurden mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie gewachsen. Die elektronische Bandstruktur wurde mit photomodulierter Reflexion bei verschiedenen Temperaturen und unter hydrostatischen Drücken bis 15 kbar untersucht. Durch Vergleich der experimentell bestimmten Energien und ihrer Druckabhängigkeit der Quantenschichtzustände mit theoretischen Berechnungen auf der Basis eines 10 Band k.p Modells lassen sich sowohl die x-Abhängigkeit der Banddiskontinuitäten als auch die Nichtparabolizität der Leitungsbanddispersion bei festem x bestimmen.