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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.28: Poster
Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Elektronische Eigenschaften von Gruppe III-Nitrid Legierungen — •F. Sökeland, M. Rohlfing, P. Krüger und J. Pollmann — Institut für Festkörpertheorie, Universität Münster, Wilhelm-Klemm Str. 10, 48149 Münster
Wir diskutieren ab-initio Bandstrukturen pseudobinärer wide-band-gap Legierungen, die unter Verwendung verschiedener methodischer Ansätze gewonnen wurden. Anhand der III-V Legierungen GaxAl1−xN und GaxIn1−xN erläutern wir die Implementierung der Virtual Crystal Approximation (VCA) für normerhaltende LDA Pseudopotentiale und diskutieren den resultierenden Verlauf der direkten und indirekten Bandlücken als Funktion der Konzentration. Analoge Berechnungen dieser Größen im Rahmen der GW-Approximation zeigen einen nichtlinearen Einfluß von Quasiteilchen-Korrekturen auf das LDA Spektrum. Wir berichten ferner über die Einflüsse von Selbstwechselwirkungs-Korrekturen (SIC), die innerhalb von clustertheoretischen Modellen berücksichtigt wurden. Untersuchungen struktureller Änderungen und ihres Einflusses auf die elektronische Charakteristik der Legierungen werden ebenso diskutiert.