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Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.29: Poster

Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Untersuchung der Phononeneigenschaften von hochgradig ungeordnetem (AlxGa1−x)0.52In0.48P (0≤ x≤ 1) mittels Ferninfrarot Spektralellipsometrie und Ramanspektroskopie — •Tino Hofmann1, Mathias Schubert1, Gunnar Leibiger2 und Volker Gottschalch21Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Festkörperphysik, Universität Leipzig, Linnéstraße 5, 04103 Leipzig — 2Fakultät für Chemie und Mineralogie, Halbleiterchemie, Universität Leipzig, Linnéstraße 3, 04103 Leipzig

Ferninfrarot-Spektralellipsometrie (100 µ m bis 15 µ m, FIR-SE) wird erstmalig und gemeinsam mit Ramanspektroskopie verwendet, um die Phononenmoden von hochgradig-ungeordneten und unverspannten (AlxGa1−x)0.52In0.48P Schichten im gesamten Kompositionsbereich x zu bestimmen. Die Frequenzen der longitudinal- und transversal-optischen AlP,- GaP,- und InP-artigen Moden werden aus den FIR-SE Spektren gewonnen. Im Ramanspektrum kann nur ein Teil der mittels FIR-SE bestimmten Phononen detektiert werden. Mit verändertem Al-Anteil zeigt sich ein Dreimodenverhalten wobei erstmalig die Frequenz der GaP-artigen TO-Mode bestimmt werden konnte. Außerdem werden mittels der FIR-SE zwei zusätzliche unpolare Phononenbänder detektiert. Das beobachteten Modenverhalten von beispielsweise Ga0.52In0.48P stimmt gut mit Ergebnissen neuer Superzellberechnungen1,2 der Phononenzustandsdichte ungeordneter AIII-BIII-CV Verbindungen überein.
V. Ozoliņč and A. Zunger, Phys. Rev. B 57, R9404 (1998)
V. Ozoliņč and A. Zunger, Phys. Rev. B 62, xxxxx (2000)

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