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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.32: Poster

Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Metallorganische Gasphasenepitaxie von GaN_yP_1−y — •Gunnar Leibiger¹, Volker Gottschalch¹, Reinhardt Schwabe² und Gabriele Benndorf² — ¹Fakultät für Chemie und Mineralogie, Arbeitsgruppe Halbleiterchemie, Linnestr. 3, 04103 Leipzig — ²Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Arbeitsgruppe Halbleiterphysik, Linnestr. 5, 04103 Leipzig

Mit der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) wurden pseudomorphe GaN_yP_1−y (y < 0.015) Epitaxieschichten auf (001) GaP-Substraten mit den Quellen TMGa, Phosphin und Dimethylhydrazin bei Züchtungstemperaturen von 600^∘C abgeschieden. Die Stickstoff-Konzentration in den Schichten wurde mittels hochauflösender Doppelkristall-Diffraktometrie (HRXRD) bestimmt. Die optische Charakterisierung des Materials erfolgte durch Photolumineszenz-, Ellipsometrie-und Absorptionsuntersuchungen. Die spektroskopische Ellipsometrie-untersuchter Spektralbereich von 0.75 eV bis 4.5 eV-zeigt eine Blauverschiebung des E₁ Punktes mit der N-Konzentration. Im fern-infraroten Spektralbereich (100 bis 600 cm⁻¹) zeigen die GaNP-Schichten ein 2-Moden Phononen-Verhalten, was einer GaP-und einer GaN-artigen Gitterresonanz entspricht. Aus Tieftemperatur-Transmissionsmessungen ergeben sich bis zu einer N-Konzentration von 0.006 lokalisierte Störstellenniveaus von verschiedenen NN_i Zentren, welche bei höherem N-Gehalt in ein Störstellenband übergehen. Störband-Lumineszenz konnte bei T = 2K nachgewiesen werden.