Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.40: Poster
Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Sulfidische photochemische Passivierung - eine Methode zur Reduzierung der Oberflächenzustandsdichte von III-V Halbleitern — •Thorsten Simonsmeier und Wolfgang Bauhofer — AB Materialien der Elektrotechnik und Optik, TU Hamburg-Harburg, Eißendorfer Str. 38, D-21073 Hamburg
Fortschritte in der Mikro- und Optoelektronik sind sehr eng mit
Entwicklungen auf dem Gebiet der III-V Halbleiter verbunden. Die
Eigenschaften solcher Bauelemente werden wesentlich durch Effekte
an ihren Grenzflächen geprägt. Reale Grenzflächen der III-V
Verbindungen sind häufig durch sehr hohe elektronische
Zustandsdichten gekennzeichnet, die zur Fixierung der
energetischen Lage des Fermi-Niveaus an der Oberfläche
führen. Eine gezielte Behandlung der Oberfläche führt zu
einer deutlichen Verbesserung der elektronischen Eigenschaften
der Grenzschicht und somit zur Optimierung der
Halbleiterbauelemente.
Untersucht wird die Behandlung einer GaAs-Oberfläche mit
unterschiedlichen Natriumsulfid-Lösungen. Bei dem Prozess
findet ein Abbau der natürlichen Oxidschicht bei gleichzeitiger
Passivierung der Oberfläche mit einer Sulfidschicht statt. Die
gezielte Beleuchtung der Probe während der
Oberflächenbehandlung führt zu einer erheblichen Verbesserung
des Passivierungseffektes im Vergleich zu traditionellen
Passivierungsmethoden.
Diskutiert werden die Ergebnisse des Passivierungsprozesses in
Abhängigkeit vom verwendeten Lösungsmittel unter
verschiedenen Beleuchtungsverhältnissen insbesondere im
Hinblick auf die Austrittsarbeit des Halbleitermaterials.
Variiert werden u.a. die Wellenlänge und die Intensität des
Lichtes während der Oberflächenbehandlung.