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Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.41: Poster

Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Einfluß der Temper-Bedingungen auf die implantationsinduzierte Durchmischung von AlxGa1−xAs/GaAs/AlxGa1−xAs Quantumwells — •S. Cronenberg, D. Reuter, S. Eshlagi und A. D. Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr Universität Bochum, Universitätsstr. 150, 44780 Bochum

Es wurden AlxGa1−xAs/GaAs/AlxGa1−xAs Quantentöpfe, die mit Hilfe von Molekularstrahlexpitaxie(MBE) hergestellt worden waren, durch Ionenimplantation und anschließendes Tempern durchmischt.

Die Ionenimplantation erfolgte maskenlos in einer Focussed-Ion-Beam(FIB) Anlage mit Ga+ Ionen bei einer Energie von 100keV. Der Ionenimplantation folgte ein schneller thermischer Ausheilschritt bei Temperaturen von 700 bis 900C.

Die Durchmischung in den Quantentöpfen wurden durch Photolumineszenzmessungen(PL) nachgewiesen un analysiert. Dabei erfolgte eine charakteristische Blauverschiebung des PL-Signals, die den Modellannahmen entspricht.

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