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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.42: Poster

Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Neuartiger Siliziumkontakt mit extrem niedriger Schottky-Barriere basierend auf DySi₂-Monolagen — •Sophie Vandré, Christian Preinesberger, Wolfgang Busse und Mario Dähne — Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin

Die Miniaturisierung in der Siliziumtechnologie verlangt nach kleineren und effektiveren Metall-Halbleiterkontakten. Nachdem es uns gelungen ist, mit einem Lanthanidsilizidfilm im Monolagenbereich die Schottky-Barriere von Si auf 0,08 eV abzusenken [1], werden hier Ergebnisse zum Überwachsen dieser Struktur mit einem dünnen Siliziumfilm gezeigt, was eine technologische Ausnutzung dieses Effektes erst ermöglicht. Mit hochaufgelöster Rumpfniveau-Photoelektronenspektroskopie bei BESSY konnten Präparationsbedingungen gefunden werden, für welche diese niedrige Schottky-Barriere beim Überwachsen erhalten bleibt. Basierend auf diesen Ergebnissen wird ein Mehrschichtsystem vorgeschlagen, das einen ohmschen Kontakt auf n-Si ermöglichen kann.

[1] S. Vandré, T. Kalka, C. Preinesberger, and M. Dähne-Prietsch, Phys. Rev. Lett. 82, 1927 (1999)