Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.45: Poster
Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Grenzflächenmodifizierung von Sn/InP(001) durch Arsen und Schwefel — •Kerstin Gebhardt1, Sergej Sloboshanin2 und Thomas Chassé1,3 — 1Wilhelm-Ostwald-Institut für Physikal. und Theor. Chemie, Universität Leipzig — 2TU Ilmenau — 3Institut für Oberflächenmodifizierung Leipzig
Die Passivierung von InP(001) durch Chalkogene oder Arsen ist von großem technologischen Interesse für das Wachstum von Schichten oder Quantendots. Es werden Untersuchungen mit Photoemission (BESSY, Al Kα) und LEED sowie AFM vorgestellt, durch die der Einfluß von Schwefel- und Arsen-Modifizierungen auf die elektronischen Eigenschaften, die Grenzflächenreaktionen und auf das Wachstum von ultradünnen Zinn-Schichten auf InP(001) erfaßt und verglichen werden soll. Durch Adsorption verschiedener S-Moleküle und geeignetes Tempern wurden (1× 1)S und (2× 1)S-Überstrukturen von InP(001) erzeugt. Die mittels Sputtern und Ausheilen präparierte saubere (2× 4) wird mittels Arsenbelegung bei Raumtemperatur zur (1× 1)As, unter As-Exposition bei ca. 450∘C zur (4× 2)As. Die Grenzflächenreaktion zwischen sukzessive aufgedampftem Metall und Substrat wird am stärksten durch S- oder As-Zwischenschichten unterdrückt. Sind As oder S lediglich auf P-Plätzen des Substrates substitutionell eingebaut, kommt es kaum zur Passivierung.