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Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.46: Poster

Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

UHV-Ramanspektroskopie an CdSe Monolagen auf BeTe Oberflächen — •J.W. Wagner1, T. Muck1, V. Wagner1, J. Geurts1, L. Hansen1, A. Waag2, S.V. Sorokin3, S.V. Ivanov3 und P.S. Kop’ev31Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Experimentelle Physik III, Am Hubland, D-97074 Würzburg — 2Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm — 3Ioffe Physico-Technical Institut of RAS, St. Petersburg

CdSe/BeTe Heterostrukturen sind wegen ihres hohen Elektron-Einschlusses für (opto)-elektronische Anwendungen sehr interessant (ECdSe=1.8 eV, EBeTe=4.2 eV). Wegen der hohen Gitterfehlanpassung von 7 % ergeben sich oberhalb von 3 Monolagen selbstorganisierte CdSe Quantenpunkte. Wir untersuchen CdSe-Bedeckungen unterhalb dieser kritischen Dicke, sowie ihre Grenzfläche zum unterliegenden BeTe. Bei
der MBE-Deposition lassen sich gezielt entweder CdTe- oder BeSe-Interfaces (IF) einstellen. Messungen an CdSe/BeTe-Übergittern zeigen die beste Qualität für CdTe-IF. Mit Hilfe der Ramanspektroskopie unter Ultrahochvakuumbedingungen untersuchen wir sowohl reine BeTe-Oberflächen vor der CdSe-Deposition, als auch nach der Deposition von 1 bis 3 ML CdSe. Bei der Deposition wird außerdem die IF-Konfiguration gezielt variiert. An den reinen Oberflächen beobachten wir polarisationsabhängige Ramanstrukturen von Te-Dimeren. Bei CdSe Bedeckung verschwinden diese weitgehend und werden bereits ab 1 ML durch Peaks von CdSe und vom Interface ersetzt. Bis zur kritischen Schichtdicke äußert sich der IF-Einfluß in der Polarisationsabhängigkeit dieser Peaks.

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