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Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 24: Poster II

HL 24.47: Poster

Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3

Raman- und Photolumineszenzspektroskopie an BeTe/CdSe-Heterostrukturen und Grenzflächen — •T. Muck1, J. Wagner1, V. Wagner1, J. Geurts1, L. Hansen1, A. Waag2, N. Sadchikov3, S.V. Sorokin3, S.V. Ivanov3 und P.S. Kop’ev31Physikalisches Institut, Experimentelle Physik III, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg — 2Universität Ulm, Abteilung Halbleiterphysik, D-89081 Ulm — 3Ioffe Physico-Technical Institute of RAS, St. Petersburg

Die Eigenschaften moderner Halbleiterheterostrukturen werden entscheidend von strukturellen und elektronischen Eigenschaften ihrer Grenzflächen beeinflußt. Wir verwenden Raman- und PL-Spektroskopie zur Grenzflächenanalyse. Die Beobachtung von stark lokalisierten Grenzflächenschwingungen wird durch das große Phononengap von BeTe (120 cm−1 bis 460 cm−1) prinzipiell ermöglicht. Beim MBE-Wachstum von CdSe-Monolagen in einer BeTe-Matrix wurden sowohl Proben mit CdTe- als auch welche mit BeSe-Grenzflächen hergestellt. Die ersteren besitzen eine höhere strukturelle Qualität: nur hier erscheinen tatsächlich Grenzflächenmoden. Ihre Frequenzen lassen sich unter Berücksichtigung von Bereichen mit 1 ML CdSe und welchen mit 2 ML quantitativ im Rahmen einer linearen Kette beschreiben. Die unteren und oberen CdTe-Grenzflächen, deren Bindungen [110] bzw. [1-10] gerichtet sind, lassen sich mittels polarisierten Raman- und PL-Experimenten unterscheiden. Hierbei beobachten wir in den oberen Grenzflächen eine größere Be- und Se-Beimischung als in den unteren.

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