Hamburg 2001 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.49: Poster
Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Quantum-Confined Stark Effekt (QCSE) und Franz-Keldysh-Oszillationen (FKO) für InAs-Monolagen in GaAs — •Holger von Wenckstern1, Heidemarie Schmidt1, Rainer Pickenhain1 und Volker Gottschalch2 — 1Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften — 2Universität Leipzig, Fakultät für Chemie und Mineralogie
Von GaAs-Schottkydioden mit einer 40 nm unter dem Schottkykontakt eingebetteten 0.5, 1, 1.5 bzw. 1.7 ML dicken InAs-Schicht wurde der Photostrom bei 4 K im Spektralbereich von 1.0-1.6 eV unter Variation der angelegten Spannung gemessen. Im Flachbandfall sind unterhalb der fundamentalen Bandlücke von GaAs hh-e- und lh-e-Übergang, welche an der InAs-Monolage lokalisiert sind, detektierbar. Die energetische Lage dieser hh-e- und lh-e- Übergänge hängt von der InAs-Monolagenzahl ab und wird beim Anlegen einer Sperrspannung entsprechend dem QCSE verschoben. Im Photostromspektrum sind desweiteren FKOs unterhalb und oberhalb der Bandlücke von GaAs detektierbar. Die Energielage und Amplitude dieser FKOs hängt stark von der angelegten Sperrspannung ab. Bei hohen Sperrspannungen bestimmen die FKOs das Photostromspektrum. Es zeigt sich, daß für eine theoretische Modellierung der FKOs die Elektron-Loch-Wechselwirkung von Ladungsträgern im elektrischen Feld berücksichtigt werden muß (siehe D. F. Blossey, Phys. Rev. B 2, 3976 (1979)).