Hamburg 2001 – scientific programme
Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.55: Poster
Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Herstellung von zweidimensionalen Elektronengasen durch Überkompensation von selektiv p-dotierten AlxGa1−xAs/GaAs Heterostrukturen — •Christof Riedesel, Cedrik Meier, Maria Antonia Serrano Álvarez, Dirk Reuter und Andreas D. Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr Universität Bochum, Universitätsstr. 150, D-44780 Bochum
Die direkte Implantation mit fokussierten Ionenstrahlen in undotierte Heterostrukturen ermöglicht die Herstellung von lateral strukturierten zweidimensionalen Elektronengasen (2DEG) bzw. Löchergasen (2DHG) und somit die Präparation zweidimensionaler bipolarer Strukturen. Da die als Dotierstoffe zum Einsatz kommenden Ionen Si (n-Typ) und Be (p-Typ) jedoch deutlich verschiedene Massen und somit Eindringtiefen in den Schichtstrukturen haben, kann bei gleicher Beschleunigungsspannugn eine für beide Typen optimale Schichtfolge nicht realisiert werden. Die hier vorgestellte Methode der Überkompensation von selektiv C-dotierten AlxGa1−xAs/GaAs Heterostrukturen durch Implantation von Si2+-Ionen erlaubt einen Ausweg aus dieser Problematik. In den Si-implantierten Bereichen bildet sich lokal definiert ein 2DEG. Die durch Überkompensation hergestellten 2DEG werden mittels klassischem Hall-Effekt und longitudinalem Magnetowiderstand ρxx(B) bei tiefen Temperaturen charakterisiert.