Hamburg 2001 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.57: Poster
Thursday, March 29, 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Umverteilung von Ladungsträgern in hoch angeregten (GaAs)m(AlAs)n–Supergittern nahe des TypI–TypII–Übergangs — •Georg Böhm und Frank Frost — Institut für Oberflächenmodifizierung e. V., Permoserstraße 15, 04318 Leipzig
Hetero- und Supergitterstrukturen auf Basis der sehr gut gitterangepaßten III-V-Verbindungshalbleiter GaAs und AlAs spielen nach wie vor eine wichtige Rolle in optoelektronischen Bauelementen. Durch selbstkonsistente Lösung von Schrödinger– und Poisson–Gleichung mit Hilfe einer diskreten Fourier–Transformation auf einem linearen Gitter konnte im Rahmen der Effektiv–Masse–Näherung für (GaAs)m(AlAs)n-Supergitter mit m ,n > 3 gezeigt werden, daß es für Flächenladungsdichten >1012cm−2 im Bereich des Übergangs von direkter (TypI) zu indirekter (TypII) Supergitterbandstruktur zu signifikanten Umverteilungen der Elektronen im k-Raum zwischen den überwiegend im GaAs lokalisierten Γ–Zuständen und den überwiegend im AlAs lokalisierten Xz– und Xxy–Zuständen kommt. Außerdem ergeben sich durch die Wirkung des Raumladungspotentials deutliche Veränderungen in der Ortsraumverteilung insbesondere der Xz– und Xxy–Elektronen, was zu einer deutlichen Vergrößerung und Verschiebung der Überlappungsbereiche mit den Zuständen der Γ–Elektronen und Löcher bis hin zu einer räumlichen Umverteilung aus dem AlAs ins GaAs führt.