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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
HL 24.5: Poster
Donnerstag, 29. März 2001, 10:30–19:00, Rang S\ 3
Diffusion von Bor in Siliciumkarbid — •Hartmut Bracht1, Michael Laube2, Kathrin Rüschenschmidt1, Nicolaas Stolwijk1 und Gerhard Pensl2 — 1Institut für Materialphysik, Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Str. 10, 48149 Münster — 2Institut für Angewandte Physik, Universität Erlangen, Staudtstr. 7, 91058 Erlangen
Wir haben Diffusionsexperimente mit Bor in 4H- und 6H-SiC bei Temperaturen zwischen 1700∘C und 2000∘C durchgeführt. Dazu wurden SiC Proben mit Bor implantiert und anschliessend einer Temperaturbehandlung bei 900∘C ausgesetzt. Diese Vorbehandlung der B-implantierten Proben beseitigt weitgehend die durch die Implantation verursachten Schäden und damit den Einfluss von Implantationsdefekten auf die Diffusion von Bor. Die Diffusionsexperimente wurden entweder in einer SiC Züchtungsanlage oder in einem Hochtemperaturlaborofen durchgeführt. Nach der Diffusionglühung wurde die Konzentrationsverteilung von Bor mit Hilfe der Sekundär-Ionen-Massenspektrometrie (SIMS) untersucht. Die erhaltenen Diffusionsprofile können vollständig auf der Grundlage eines Verdrängungsmechanismus beschrieben werden. Dieser Mechanismus entspricht einem Platzwechsel auf dem Siliciumuntergitter zwischen einem interstitiell und substititionell gelösten Bor, der über ein Silicium-Eigenzwischengitteratom vermittelt wird. Unsere Computersimulationen zeigen darüberhinaus, dass Leerstellen auf dem Siliciumuntergitter nicht für die Diffusion von Bor in SiC verantwortlich sein können.